Рекомендуемая категория для самостоятельной подготовки:
Курсовая работа*
| Код |
593871 |
| Дата создания |
2016 |
| Страниц |
18
|
Мы сможем обработать ваш заказ (!) 20 декабря в 12:00 [мск] Файлы будут доступны для скачивания только после обработки заказа.
|
Содержание
Введение 3
1 Электрофизические свойства полупроводников 3
2 Конструкция и принцип работы диода 7
3 Влияние распределения неосновных носителей заряда в базе диода при прямом смещении на его характеристики 10
4 Расчет распределения неосновных носителей в базе диода 13
Заключение 16
Список литературы 17
Введение
Полупроводниковые диоды широко используются в современных устройствах, благодаря таким своим достоинствам ка небольшие габаритные размеры и масса, высокий коэффициент полезного действия, высокая надежность.
На сегодняшний день существуют различные типы полупроводниковых диодов: выпрямительные, стабилитроны, низкочастотные и высокочастотные диоды, импульсные диоды, варикапы, туннельные диоды, светодиоды и фотодиоды. В каждом конкретном случае есть особенности включения того или иного диода в электрическую схему.
Следует отметить, что диоды могут работать в двух режимах, при прямом и обратном смещении. В данной работе рассмотрены особенности распределения неосновных носителей заряда в базе диода при прямом смещении.
Фрагмент работы для ознакомления
В данной курсовой работе были рассмотрены электрофизические свойства полупроводников, конструкция и принцип работы диода, а также проанализировано влияние распределения неосновных носителей заряда в базе диода при прямом смещении на его характеристики.
Из изученного в ходе работы над данной темой материала можно сделать вывод, что при прямом смещении высота потенциального барьера на p-n-переходе уменьшается пропорционально приложенному к диоду напряжению, за счет чего происходит инжекция неосновных носителей заряда в базу диода.
В работе проанализированы факторы, влияющие на вид вольтамперной характеристики диода при его прямом включении, а также показаны процессы, происходящие в p-n-переходе при прямом смещении.
Список литературы
1. Афанасьева Н.А., Булат Л.П. Электротехника и электроника: учеб. пособие. – СПб.: СПбГУНиПТ, 2010. – 181 с.
2. Величко Д.В. Полупроводниковые приборы и устройства: Учеб. пособие / Д.В. Величко, В.Г. Рубанов. – Белгород: Изд-во БГТУ им. В.Г. Шухова, 2006. – 184 с.
3. Гершунский Б.С. Основы электроники и микроэлектроники. – К.: Вища шк., 1987. – 422 с.
4. Гуртов В.А. Твердотельная электроника: Учеб. пособие. – Москва, 2005. – 492 с.
5. Игумнов Д.В. Полупроводниковые устройства непрерывного действия / Д.В. Игумнов, Г.П. Костюнина. – М.: Радио и связь, 1990. – 256 с.
6. Легостаев Н.С., Четвергов К.В. Твердотельная электроника: учеб. пособие. – Томск, 2011. – 244 с.
7. Нестеренко Б.А., Ляпин В.Г. Фазовые переходы на свободных гранях и межфазных границах в полупроводниках. – К.: Наук. думка, 1990. – 152 с.
8. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. – СПб.: Изд-во «Лань», 2002. – 480 с.
9. Самедов М.Н., Шибанов В.М., Шурыгин В.Ю. Общая электротехника и электроника / Учеб. пособие. – Елабуга: изд-во ЕИ КФУ, 2015. – 112 с.
10. Харланов А.В. Физика. Электродинамика, оптика, атомная и ядерная физика: учеб. пособие. – Волгоград, 2015. – 160 с.
11. Алиев К.М., Камилов И.К., Ибрагимов Х.О., Абакарова Н.С. Проводимость полупроводниковых диодов при одновременном воздействии на них постоянного и переменного напряжений // Вестник Дагестанского научного центра РАН. – 2010. - № 39. – С. 5-8.
12. Васильев В.А., Пиганов М.Н., Зайцев В.Ю. Контроль качества полупроводниковых диодов по напряжению шума // В сборнике: Актуальные проблемы радиоэлектроники. Сер. «Вестник СГАУ» Самара. – 1999. – С. 63-65.
13. Гаман В.И. Электронные процессы в полупроводниковых диодах и структурах металл-диэлектрик-полупроводник // Вестник Томского государственного университета. – 2005. - № 285. – С. 112-120.
14. Иванов А.М.. Строкан Н.Б., Шуман В.Б. Перенос носителей заряда в базе диода с локальной неоднородностью рекомбинационных свойств // Письма в Журнал технической физики. – 1997. – Т. 23. - № 9. – С. 79-86.
15. Козлова И.Н., Тюлевин С.В., Токарева А.В. Методика прогнозирования показателей качества полупроводниковых диодов // Вестник Самарского государственного аэрокосмического университета им. С.П. Королева. – 2011. - № 7 (31). – С. 87-91.
16. Кутузова Е.В., Бондина В.П. Исследование основных характеристика фоточувствительных полупроводниковых элементов // В сборнике: Университетское образование: культура и наука. Материалы Международного молодежного научного форума. – 2012. – С. 161-167.
17. Пилипец И.В. Конструктивно-технологические методы увеличения пробивного напряжения диодов // Электронные средства и системы управления. – 2015. - № 1-1. – С. 112-115.
18. Ровдо А.А. Полупроводниковые диоды и схемы с диодами / Учеб. пособие. – М.: ДМК Пресс, 2006. – 288 с.
19. Селяков А.Ю. К теории флуктуационных явлений в p-n-переходах с короткой базой на основе узкозонных полупроводников // Прикладная физика. – 2010. - № 2. – С. 55-66.
20. Таубкин И.И. О фотоиндуцированных и тепловых шумах в полупроводниковых диодах // Прикладная физика. – 2007. № 4. – С. 85-90.
Пожалуйста, внимательно изучайте содержание и фрагменты работы. Деньги за приобретённые готовые работы по причине несоответствия данной работы вашим требованиям или её уникальности не возвращаются.
* Категория работы носит оценочный характер в соответствии с качественными и количественными параметрами предоставляемого материала. Данный материал ни целиком, ни любая из его частей не является готовым научным трудом, выпускной квалификационной работой, научным докладом или иной работой, предусмотренной государственной системой научной аттестации или необходимой для прохождения промежуточной или итоговой аттестации. Данный материал представляет собой субъективный результат обработки, структурирования и форматирования собранной его автором информации и предназначен, прежде всего, для использования в качестве источника для самостоятельной подготовки работы указанной тематики.
bmt: 0.00466