Рекомендуемая категория для самостоятельной подготовки:
Курсовая работа*
| Код |
593977 |
| Дата создания |
2017 |
| Страниц |
26
|
Мы сможем обработать ваш заказ (!) 8 ноября в 16:00 [мск] Файлы будут доступны для скачивания только после обработки заказа.
|
Содержание
Введение
1. Основные сведения о полевых транзисторах
1.1 История создания полевых транзисторов
1.2 Понятие полевого транзистора
2 Классификация полевых транзисторов
2.1 Транзисторы с управляющим p - n переходом
2.2 Транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы)
2.3 МДП-транзисторы с индуцированным и встроенным каналами
2.4 МДП-структуры специального назначения
3 Схемы включения полевых транзисторов
4 Параметры полевого транзистора
5 Частотные и шумовые свойства
6 Тепловые параметры
7 Максимально допустимые параметры и ВАХ транзистора
8 Рекомендации по эксплуатации полевых транзисторов
9 Применение полевых транзисторов
Заключение
Список используемой литературы
Введение
Полупроводниковые приборы благодаря малым габаритам и массе, незначительному потреблению электроэнергии, высокой надёжности и долговечности широко применяются в различной радиоэлектронной аппаратуре. В настоящее время почти вся бытовая радиоэлектронная техника, включая телевизоры, приёмники, магнитофоны и др., работает на полупроводниковых приборах и микросхемах. Применение полупроводниковых приборов в электронных вычислительных машинах позволило решить проблему достижения высоких эксплуатационных параметров ЭВМ при обеспечении требуемой надёжности. Для конструирования надёжных схем на транзисторах, то есть для правильного выбора типа транзистора, грамотного расчёта схем, выбора оптимального теплового и электрического режимов, необходимо располагать подробными сведениями, характеризующими эксплуатационные свойства транзисторов.
Срок службы полупроводниковых приборов и их экономичность во много раз больше, чем у электронных ламп. За счёт чего транзисторы нашли широкое применение в микроэлектронике
Фрагмент работы для ознакомления
Курсовая работа по основам наноэлектроники. Физические основы работы полевого транзистора. Можно использовать и как реферат так как работа носит скорее описательный характер
Список литературы
Джесси Рассел Полевой транзистор, VSD, 2012. - 80 стр.
Р. Куэй Электроника на основе нитрида галлия/Пер.с англ./ под ред. д.ф.−м.н. А.Г. Васильева, М.: Техносфера, 2011. - 592с.
Старосельский В.И. Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники: учебн. пособие, М.: Высшее образование, Юрайт- Издат. 2009.- 463 стр.
Горбацевич А.А. Полупроводниковые гетероструктуры и приборы на их основе/А.А. Горбацевич и др.//Нанотехнологии в электронике/под ред. Ю.А. Чаплыгина. - М. Техносфера, 2005. - С. 172 - 242.
Москатов Е. А. Электронная техника. Специальная редакция для журнала “Радио”. - Таганрог, 2004. - 121 стр.
B. Van Zeghbroeck Principles of Semiconductor Devices, 2011.- 715 pp. M. Sze, Kwok K. Ng Physics of Semiconductor Devices, John Wiley&Sons; Inc., Hoboken, New Jersey, 2007. - 793 pp.
Пожалуйста, внимательно изучайте содержание и фрагменты работы. Деньги за приобретённые готовые работы по причине несоответствия данной работы вашим требованиям или её уникальности не возвращаются.
* Категория работы носит оценочный характер в соответствии с качественными и количественными параметрами предоставляемого материала. Данный материал ни целиком, ни любая из его частей не является готовым научным трудом, выпускной квалификационной работой, научным докладом или иной работой, предусмотренной государственной системой научной аттестации или необходимой для прохождения промежуточной или итоговой аттестации. Данный материал представляет собой субъективный результат обработки, структурирования и форматирования собранной его автором информации и предназначен, прежде всего, для использования в качестве источника для самостоятельной подготовки работы указанной тематики.
bmt: 0.00469