Вход

Магниторезистивная оперативная память (MRAM)

Рекомендуемая категория для самостоятельной подготовки:
Реферат*
Код 574571
Дата создания 2020
Страниц 28
Мы сможем обработать ваш заказ (!) 23 сентября в 12:00 [мск]
Файлы будут доступны для скачивания только после обработки заказа.
1 670руб.
КУПИТЬ

Содержание

ВВЕДЕНИЕ 4
1 ОБЗОР ПОИСКОВЫХ СИСТЕМ 5
2 ОПИСАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ 9
2.1 Структура запоминающей ячейки 9
2.2 Производство и применение памяти 16
2.3 Преимущества памяти MRAM 23
3 ПЕРСПЕКТИВЫ И РАЗВИТИЕ ТЕХНОЛОГИИ 27
3.1 Проблемы памяти и способы их решения 27
3.2 Развитие технологии в России 29
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 33
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК 35


Введение

В последнее время активно развивается новая область науки и техники, исследующая возможность интеграции спиновых и зарядовых свойств, а также управления ими.
В результате этих трудов появились перспективные технологии магниторезистивной памяти (MRAM).
В данной работе рассмотрены спиновые технологии записи и хранения данных, их преимущества и отличии от традиционных механизмов записи.

Фрагмент работы для ознакомления

В современном мире, когда с каждым днем устройства становятся миниатюрней, а скорости чтения и записи данных перестают удовлетворять, возникает необходимость искать новые технологии памяти, отличные от традиционных технологий хранения электрического заряда и полупроводниковых микросхем типа СОЗУ, ДОЗУ.

1 Обзор поисковых систем
Не однократно каждому из нас приходилось пользоваться поисковыми системами в Интернете для поиска информации в сети Интернет. Мы открываем привычный и удобный для нас веб-сервис, не задумываясь, что на самом деле в Интернете есть и другие поисковые системы.
Некоторые считают, что поисковые системы – это небольшие сайты, которые просто ищут другие веб-ресурсы. На самом деле в их основе лежат сложные алгоритмы ранжирования и базы данных с индексными подборками к различным запросам.
Над развитием данных веб-сервисов и алгоритмов работают огромные компании с сотнями сотрудников. Они стараются сделать поиск информации быстрым и удобным для людей, а также хорошенько заработать на контекстно-медийной рекламе и других сервисах.
Популярность используемых поисковых систем приведена на диаграмме, исходными данными которой является проведенный анализ за 2019 год (данные с 01.01.2019 г. по 01.01.2020 г.)

Список литературы


Описание книги одного автора
Аплеснин, С. А. Основы спинтроники / С.А Аплеснин. - М.: Лань,
2010. - 343 c.
Описание книги одного автора
Борисенко, В. Е. Спинтроника. Учебное пособие. Гриф МО Республики Беларусь / В.Е. Борисенко - М.: Бином. Лаборатория знаний, 2017. - 795 c.
Описание книги одного автора
Кузьмин, А.В. Flash-память и другие современные носители информации / А.В. Кузьмин. - М.: Горячая линия - Телеком, 2005. - 721 c.
Описание книги двух авторов
Бабурин, С.А. Магниторезистивная память MRAM компании Everspin Technologies./ С.А. Бабурин, А.В. Самоделов. – М.: Компоненты и технологии, 2012, № 10, 250 с.
Описание книги одного автора
Дмитриев, А. А. Наноструктуры магнитных полупроводников - будущее спинтроники / А.А. Дмитриев. - М.: LAP Lambert Academic Publishing,
2010. - 803 c.
Описание книги трех авторов
Грязнов, Е. Г. Конструкции ячеек радиационно-стойких энергонезависимых ОЗУ, интегрированных в КМОП КНИ процесс. / Е.Г. Грязнов, А.Н. Мансуров, К.О. Петросянц – Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем-2012. Сборник трудов под общ. ред. академика РАН А. Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2012, 611 с.
Описание книги пяти и более авторов
Спиновой транспорт и проблемы магнитной оперативной памяти (MRAM). / А.Ф. Попков, К.А. Звездин, М.Ю. Чиненков, Н.А. Дюжев, А.К. Звездин. – Инженерная физика, 2012, № 9, 235 с.
Описание электронного источника
Зюбин, А. Ю. Спинтроника и магниторезистивная память. http://itkaliningrad.ru/articles/7/0/27454.
Описание электронного источника
Теряева Н. Кто первым оседлает вертлявый спин.
http://open-dubna.ru/13-nauka/741-kto-pervym-osedlaet-vertlyavyj-spin.html.
Описание электронного источника
Шишков А. Современная компонентная база. ОЗУ. http://frelamk.narod.ru/olderfiles/1/OZURAMnvRAM.pdf.
Очень похожие работы
Пожалуйста, внимательно изучайте содержание и фрагменты работы. Деньги за приобретённые готовые работы по причине несоответствия данной работы вашим требованиям или её уникальности не возвращаются.
* Категория работы носит оценочный характер в соответствии с качественными и количественными параметрами предоставляемого материала. Данный материал ни целиком, ни любая из его частей не является готовым научным трудом, выпускной квалификационной работой, научным докладом или иной работой, предусмотренной государственной системой научной аттестации или необходимой для прохождения промежуточной или итоговой аттестации. Данный материал представляет собой субъективный результат обработки, структурирования и форматирования собранной его автором информации и предназначен, прежде всего, для использования в качестве источника для самостоятельной подготовки работы указанной тематики.
bmt: 0.00458
© Рефератбанк, 2002 - 2024