Рекомендуемая категория для самостоятельной подготовки:
Курсовая работа*
| Код |
327247 |
| Дата создания |
08 июля 2013 |
| Страниц |
16
|
Мы сможем обработать ваш заказ (!) 23 декабря в 12:00 [мск] Файлы будут доступны для скачивания только после обработки заказа.
|
Содержание
Задание
Описание принципа работы схемы
Выбор и описание технологии изготовления схемы
Структура схемы
Расчет параметров элементов схемы
Моделирование схемы в PSPISE
Заключение
Литература
Фрагмент работы для ознакомления
Удельная крутизна
Удельные емкости перекрытия
Величина порогового напряжения
Моделирование схемы в PSPISE
Пропишем параметры транзисторов в модель PSPISE:
n-канальный
.model N1 NMOS(LEVEL=3 Ld=0.2um Wd=0.1um Vto=1.4 Tox=0.06um Uo=600 Cbd=0.05p Cbs=0.05p Cgso=0.02p Cgdo=0.02p Cgbo=0.03p )
p-канальный
.model P1 NMOS(LEVEL=3 Ld=0.2um Wd=0.1um Vto=-1.4 Tox=0.06um Uo=600 Cbd=0.05p Cbs=0.05p Cgso=0.02p Cgdo=0.02p Cgbo=0.03p )
Пропишем соединения схемы:
T1 4 1 5 4 P1 W=90um L=10um
T2 5 2 4 4 P1 W=90um L=10um
T3 3 1 5 4 N1 W=30um L=10um
T4 3 2 0 0 N1 W=30um L=10um
Выполним моделирование
Передаточная характеристика
Для получения переходной характеристики SPICE-файл выглядит следующим образом:
***** main circuit
M1 2 1 3 2 mos_3_p_dep l = 1.000000000000e-005 w = 9.000000000000e-005
M2 3 0 4 2 mos_3_p_dep l = 1.000000000000e-005 w = 9.000000000000e-005
M3 4 1 0 0 mos_3_n_dep l = 1.000000000000e-005 w = 3.000000000000e-005
M4 4 0 0 0 mos_3_n_dep l = 1.000000000000e-005 w = 3.000000000000e-005
V1 2 0 DC 1.000000e+001
V2 1 0 DC 1.000000e+001
.model mos_3_p_dep pmos level = 3 vto = -1.4 cbd = 0.05p cbs = 0.05p cgso = 0.02p cgdo = 0.02p cgbo = 0.03p
+ tox = 6.000000000000e-008
.model mos_3_n_dep nmos level = 3 vto = 1.4 cbd = 0.05p cbs = 0.05p cgso = 0.02p cgdo = 0.02p cgbo = 0.03p
+ tox = 6.000000000000e-008 ld = 2.000000000000e-007
.dc v2.dc 0.0 12.00 10.00m
.OPTIONS gmin = 1E-12 reltol = 1E-4 temp = 27 itl1 = 500
+ itl4 = 500 rshunt = 1G bb_daOutLow = 0 bb_daOutHigh = 5 bb_daOutX = 2.5
+ bb_adInLow = .5 bb_adInHigh = 4.5
.end
Уровни логического нуля и единицы (0,02 В и 9,68 В соответственно)
Помехоустойчивость
Потребляемый ток Iпот=0,021 мА
Переходная характеристика
Для получения переходной характеристики SPICE-файл выглядит следующим образом:
***** main circuit
M1 2 1 3 2 mos_3_p_dep l = 1.000000000000e-005 w = 9.000000000000e-005
M2 3 5 4 2 mos_3_p_dep l = 1.000000000000e-005 w = 9.000000000000e-005
M3 4 1 0 0 mos_3_n_dep l = 1.000000000000e-005 w = 3.000000000000e-005
M4 4 5 0 0 mos_3_n_dep l = 1.000000000000e-005 w = 3.000000000000e-005
V1 2 0 1.000000000000e+001
V2 1 0 PULSE( 0.000000000000e+000 1.000000000000e+001 0.000000000000e+000 2.000000000000e-009 2.000000000000e-009 1.000000000000e-008 2.800000000000e-008)
Список литературы
Литература
1) Д. Линн, Ч. Мейера. Анализ и расчет интегральных схем
2) Алексенко А.Г., Шагурин И.И. Микросхемотехника. М.: Радио и связь, 1990.
3) 1. Валиев К.А., Кармазинский А.Н., Королев М.Р. Цифровые схемы на МДП-транзисторах.
М. 1971. 621.382 В15
4) 5. Р. Кроуфорд. Схемные применения МОП-транзисторов. Мир 1970. К83
Пожалуйста, внимательно изучайте содержание и фрагменты работы. Деньги за приобретённые готовые работы по причине несоответствия данной работы вашим требованиям или её уникальности не возвращаются.
* Категория работы носит оценочный характер в соответствии с качественными и количественными параметрами предоставляемого материала. Данный материал ни целиком, ни любая из его частей не является готовым научным трудом, выпускной квалификационной работой, научным докладом или иной работой, предусмотренной государственной системой научной аттестации или необходимой для прохождения промежуточной или итоговой аттестации. Данный материал представляет собой субъективный результат обработки, структурирования и форматирования собранной его автором информации и предназначен, прежде всего, для использования в качестве источника для самостоятельной подготовки работы указанной тематики.
bmt: 0.00431