-

Введение………………………………………………………………………………………..2
Определить параметры транзистора КТ 208Ж………………………………………………3
Описать входные и выходные характеристики транзистора……………………………….3
Построить нагрузочную прямую по постоянному току…………………………………….6
Выбрать положение рабочей точки, определить величины элементов цепи питания и стабилизации рабочей точки…………………………………………………………………..9
Графическое определение малосигнальных параметров транзистора в рабочей точке….12
Определение h-параметров транзистора по статическим характеристикам………………15
Расчет величины элементов эквивалентной схемы…………………………………………17
По нагрузочной прямой для переменного тока построить сквозную характеристику Ik (Uбэ) и определить наибольшую величину входного напряжения Uвхн при котором охватывается вся переменная часть сквозной характеристики…………………………………………………………………………...……..19
Определить динамические параметры усилительного каскада для входного сигнала…………………………………………………………………………………………..21
Расчёт коэффициента гармоник………………………………………………………………22
Заключение……………………………………………………………………………………..25
Список литературы…………………………………………………………………………….27

-

Современные усилители выполняются преимущественно на биполярных и полевых транзисторах в дискретном или интегральном исполнении. Наибольшее распространение получили каскады на биполярных и полевых транзисторах, использующие соответственно схемы включения транзистора с общим эмиттером и общим истоком. Реже используются схемы включения с общим коллектором и общим стоком. Схемы включения с общей базой или общим затвором находят применение только в узком классе устройств, например во входных цепях радиоприемных устройств, работающих в диапазоне УКВ.
Заключение
В заключение отметим некоторые перспективы развития твердотельных электронных приборов, а также проблемы, которые предстоит решить для успешного развития полупроводниковой электроники. Одной из важнейших задач полупроводниковой электроники является увеличение быстродействия полупроводниковых приборов. Максимальная частота генерации биполярных транзисторов достигла 10 ГГц. Значение этого параметра уже близко к теоретическому пределу, который определяется временем установки электрической нейтральности различных частей полупроводниковой структуры, а также конечным значением скоростей движения носителей заряда. Необходимо учитывать и постоянные времени перезаряда барьерных емкостей p-n-переходов. Таким образом, для продвижения вверх по частотному диапазону наряду с совершенствованием различных полупроводниковых СВЧ-приборов необходимы изыскания новых принципов усиления и генерации электрических колебаний. Увеличение быстродействия диодов может быть достигнуто путем использования гетерпереходов и переходов между металлом и полупроводником. В этих приборах практически исключается процесс накопления и рассасывания неосновных носителей. Другой проблемой является повышение допустимой мощности рассеяния полупроводниковых приборов, что трудно осуществить не в ущерб быстродействию этих приборов. Решению этой проблемы может способствовать использование полупроводниковых материалов с большой шириной заряженной зоны (больше, чем у кремния). Одним из таких материалов является арсенид галлия. Следует учесть, что подвижность носителей заряда в арсениде галлия значительно выше, чем в германии и кремнии, что должно повысить быстродействие приборов на его основе.