Вход

Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-1

Контрольная работа по радиоэлектронике
Дата добавления: 21 декабря 1998
Язык контрольной: Русский
Word, rtf, 1 Мб (архив zip, 80 кб)
Контрольную можно скачать бесплатно
Скачать
Данная работа не подходит - план Б:
Создаете заказ
Выбираете исполнителя
Готовый результат
Исполнители предлагают свои условия
Автор работает
Заказать
Не подходит данная работа?
Вы можете заказать написание любой учебной работы на любую тему.
Заказать новую работу




УПИ – УГТУ


Кафедра радиоприёмные устройства.















Контрольная работа № 1

по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “.


Вариант № 17

Шифр:


Ф.И.О


Заочный факультет

Радиотехника

Курс: 3




















Работу не высылать.

УПИ – УГТУ


Кафедра радиоприёмные устройства.















Контрольная работа № 1

по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “.


Вариант № 17

Шифр:


Ф.И.О


Заочный факультет

Радиотехника

Курс: 3




















Работу не высылать.

Аннотация.



Целью работы является активизация самостоятельной учебной работы, развитие умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых приборов.




Диод 2Д510А



Краткая словесная характеристика диода.



Диод кремниевый эпитаксиально- планарный.

Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Диоды маркируются цветным кодом: одной широкой и одной узкой полосами зелёного цвета со стороны вывода катода.

Масса диода не более 0,15 г.




Паспортные параметры.


Электрические параметры:

Постоянное прямое напряжение при не Iпр= 200 мА более:

при 298 и 398 К …………………………………………………………….. 1,1 В

при 213 К …………………………………………………………………… 1,5 В

Постоянный обратный ток при Uпр= 50 В, не более:

при 298 и 213 К ……………………………………………………………. 5 мкА

при 398 К …………………………………………………………………… 150 мкА

Заряд переключения при Iпр= 50 мА, Uобр,и= 10 В, не более ………………. 400 пКл

Общая ёмкость диода при Uобр= 0 В, не более ………………………………… 4 пФ

Время обратного восстановления при Iпр= 50 мА, Uобр,и= 10 В,

Iотсч= 2 мА не более ……………………………………………………………… 4 нс


Предельные эксплуатационные данные:

Постоянное, импульсное обратное напряжение (любой формы и

периодичности) ……………………………………………………………………… 50 В

Импульсное обратное напряжение при длительности импульса (на уровне 50 В)

не более 2 мкс и скважности не менее 10 ………………………………………… 70 В

Постоянный или средний прямой ток:

при температуре от 213 до 323 К ………………………………………… 200 мА

при 393 К ………………………………………………………………….. 100 мА

Импульсной прямой ток при ?и ? 10 мкс (без превышения среднего прямого тока):

при температуре от 213 до 323 К ………………………………………… 1500 мА

при 393 К ………………………………………………………………….. 500 мА

Температура перехода ……………………………………………………………… 423 К

Температура окружающей среды ………………………………………………….От 213 до

393 К


Семейство вольтамперных характеристик:







Iпр,мА








200








160








120








80








40








0

0,4

0,8

1,2

1,6

2,0

Uпр






Расчёты и графики зависимостей:




  1. сопротивление постоянному току R= и переменному току (малый сигнал) r~ от прямого и обратного напряжения для комнатной температуры 298 К.

Зависимость тока от прямого напряжения:


Iпр,мА













200

I8













180













160













140













120













100














80













60













40














20

I1













0

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

U1

0,8

0,9

1,0

1,1

U8

Uпр




I1 = 10 мА, U1 = 0,63 В, R1 = U1 / I1 = 0,63 / 10 мА = 63 Ом

I2 = 20 мА, U2 = 0,73 В, R2 = U2 / I2 = 0,73 / 20 мА = 36,5 Ом

I3 = 40 мА, U3 = 0,81 В, R3 = U3 / I3 = 0,81 / 40 мА = 20,3 Ом

I4 = 60 мА, U4 = 0,86 В, R4 = U4 / I4 = 0,86 / 60 мА = 14,3 Ом

I5 = 80 мА, U5 = 0,90 В, R5 = U5 / I5 = 0,90 / 80 мА = 11,3 Ом

I6 = 120 мА, U6 = 0,97 В, R6 = U6 / I6 = 0,97 / 120 мА = 8,03 Ом

I7 = 160 мА, U7 = 1,03 В, R7 = U7 / I7 = 1,03 / 160 мА = 6,4 Ом

I8 = 200 мА, U8 = 1,10 В, R8 = U8 / I8 = 1,10 / 200 мА = 5,5 Ом


?I1 = 10 мА, ?U1 = 0,10 В, r1 = ?U1 / ?I1 = 0,10 / 10 мА = 10 Ом

?I2 = 20 мА, ?U2 = 0,08 В, r2 = ?U2 / ?I2 = 0,08 / 20 мА = 4 Ом

?I3 = 20 мА, ?U3 = 0,05 В, r3 = ?U3 / ?I3 = 0,05 / 20 мА = 2,5 Ом

?I4 = 20 мА, ?U4 = 0,04 В, r4 = ?U4 / ?I4 = 0,04 / 20 мА = 2 Ом

?I5 = 40 мА, ?U5 = 0,07 В, r5 = ?U5 / ?I5 = 0,07 / 40 мА = 1,7 Ом

?I6 = 40 мА, ?U6 = 0,06 В, r6 = ?U6 / ?I6 = 0,06 / 40 мА = 1,5 Ом

?I7 = 40 мА, ?U7 = 0,07 В, r7 = ?U7 / ?I7 = 0,07 / 40 мА = 1,7 Ом

Зависимость сопротивления постоянному току R= от прямого напряжения Uпр:


R=,Ом













70

R1













60













50














40













30













20














10

R8













0

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

U1

0,8

0,9

1,0

1,1

U8

Uпр


Зависимость сопротивления переменному току r~ от прямого напряжения Uпр:


r~,Ом













10













9













8













7














6













5














4













3













2














1














0

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

U1

0,8

0,9

1,0

1,1

U7

Uпр



Зависимость тока Iобр от обратного напряжения Uобр:




Iобр,мкА












5,0

I7












4,5












4,0












3,5












3,0












2,5













2,0












1,5












1,0













0,5

I1












0

5

10

15

20

25

30

35

40

U1

45

50

U7

Uоб




I1 = 0,25 мкА, U1 = 37 В, R1 = U1 / I1 = 37 / 0,25 мкА = 148 МОм

I2 = 0,50 мкА, U2 = 40 В, R2 = U2 / I2 = 40 / 0,50 мкА = 80 МОм

I3 = 1,00 мкА, U3 = 42 В, R3 = U3 / I3 = 42 / 1,00 мкА = 42 МОм

I4 = 2,00 мкА, U4 = 44 В, R4 = U4 / I4 = 44 / 2,00 мкА = 22 МОм

I5 = 3,00 мкА, U5 = 46 В, R5 = U5 / I5 = 46 / 3,00 мкА = 15,3 МОм

I6 = 4,00 мкА, U6 = 48 В, R6 = U6 / I6 = 48 / 4,00 мкА = 12 МОм

I7 = 5,00 мкА, U7 = 50 В, R7 = U7 / I7 = 50 / 5,00 мкА = 10 МОм


?I1 = 0,25 мкА, ?U1 = 3 В, r1 = ?U1 / ?I1 = 3 / 0,25 мкА = 12 МОм

?I2 = 0,50 мкА, ?U2 = 2 В, r2 = ?U2 / ?I2 = 2 / 0,50 мкА = 4 МОм

?I3 = 1,00 мкА, ?U3 = 2 В, r3 = ?U3 / ?I3 = 2 / 1,00 мкА = 2 МОм

?I4 = 1,00 мкА, ?U4 = 2 В, r4 = ?U4 / ?I4 = 2 / 1,00 мкА = 2 МОм

?I5 = 1,00 мкА, ?U5 = 2 В, r5 = ?U5 / ?I5 = 2 / 1,00 мкА = 2 МОм

?I6 = 1,00 мкА, ?U6 = 2 В, r6 = ?U6 / ?I6 = 2 / 1,00 мкА = 2 МОм


Зависимость сопротивления постоянному току R= от обратного напряжения Uобр:


R=, МОм












160












140












120












100













80












60












40













20












0

5

10

15

20

25

30

35

40

U1

45

50

U7

Uоб


Зависимость сопротивления переменному току r~ от обратного напряжения Uобр:


r~, МОм












12












10













8












6












4













2













0

5

10

15

20

25

30

35

40

U1

45

50

U7

Uоб




  1. График зависимости ёмкость Собр от обратного напряжения:






Сд,

пФ






4






3






2






1







0

20

40

60

80

UобрВ




Определение величин температурных коэффициентов.



Определим графически из семейства вольтамперных характеристик величины температурных коэффициентов ТКUпр и ТКIобр.


Iпр,мА










200











160










120










80











40










0

0,2

0,4

0,6

0,8

1,0


1,2

U1

1,4

1,6

U2

Uпр


I = 200 мА, U1= 1,5 B, U2= 1,1 B, T1= 298 K, T2= 213 K



Iобр,мкА








150

I2








125

398К







100







75







50







25

I1







0

10

20

30

40


50

U

60

UобрВ


U = 50 B, I1= 5 мкА, I2= 150 мкА, Т1= 298 К, Т2= 398 К





Определение сопротивления базы.




Величина сопротивления базы rб оценивается по наклону прямой ветви ВАХ при больших токах (Т=298К):


Iпр,мА








500

I2








400







300

U1








200

U2

I1








100







0

0,2

0,4

0,6

0,8

1,0


1,2


Uпр




Тепловой потенциал:





По вольтамперной характеристике определяем:



U1 = 1,1 В, U2 = 1,2 В,



I1 = 200 мА, I2 = 500 мА









Малосигнальная высокочастотная схема диода

и величины её элементов.







Малосигнальная высокочастотная схема диода при обратном смещении:








Величины элементов схемы при Uобр = 5 В :









Библиографический список.





  1. “Электронные приборы: учебник для вузов” Дулин В.Н., Аваев Н.А., Демин В.П. под ред. Шишкина Г.Г. ; Энергоатомиздат, 1989 г..

  1. Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1980г.

  1. Справочник “ Полупроводниковые приборы: диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы”; М.: Энергоатомиздат, 1987г..

  1. “ Исследование характеристик и параметров полупроводниковых приборов” методические указания к лабораторной работе по курсу “ Электронные приборы”; Свердловск, 1989г..



© Рефератбанк, 2002 - 2017