Вход

Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-1

Контрольная работа по радиоэлектронике
Дата добавления: 21 декабря 1998
Язык контрольной: Русский
Word, rtf, 1 Мб (архив zip, 80 кб)
Контрольную можно скачать бесплатно
Скачать




УПИ – УГТУ


Кафедра радиоприёмные устройства.















Контрольная работа № 1

по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “.


Вариант № 17

Шифр:


Ф.И.О


Заочный факультет

Радиотехника

Курс: 3




















Работу не высылать.

УПИ – УГТУ


Кафедра радиоприёмные устройства.















Контрольная работа № 1

по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “.


Вариант № 17

Шифр:


Ф.И.О


Заочный факультет

Радиотехника

Курс: 3




















Работу не высылать.

Аннотация.



Целью работы является активизация самостоятельной учебной работы, развитие умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых приборов.




Диод 2Д510А



Краткая словесная характеристика диода.



Диод кремниевый эпитаксиально- планарный.

Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Диоды маркируются цветным кодом: одной широкой и одной узкой полосами зелёного цвета со стороны вывода катода.

Масса диода не более 0,15 г.




Паспортные параметры.


Электрические параметры:

Постоянное прямое напряжение при не Iпр= 200 мА более:

при 298 и 398 К …………………………………………………………….. 1,1 В

при 213 К …………………………………………………………………… 1,5 В

Постоянный обратный ток при Uпр= 50 В, не более:

при 298 и 213 К ……………………………………………………………. 5 мкА

при 398 К …………………………………………………………………… 150 мкА

Заряд переключения при Iпр= 50 мА, Uобр,и= 10 В, не более ………………. 400 пКл

Общая ёмкость диода при Uобр= 0 В, не более ………………………………… 4 пФ

Время обратного восстановления при Iпр= 50 мА, Uобр,и= 10 В,

Iотсч= 2 мА не более ……………………………………………………………… 4 нс


Предельные эксплуатационные данные:

Постоянное, импульсное обратное напряжение (любой формы и

периодичности) ……………………………………………………………………… 50 В

Импульсное обратное напряжение при длительности импульса (на уровне 50 В)

не более 2 мкс и скважности не менее 10 ………………………………………… 70 В

Постоянный или средний прямой ток:

при температуре от 213 до 323 К ………………………………………… 200 мА

при 393 К ………………………………………………………………….. 100 мА

Импульсной прямой ток при ?и ? 10 мкс (без превышения среднего прямого тока):

при температуре от 213 до 323 К ………………………………………… 1500 мА

при 393 К ………………………………………………………………….. 500 мА

Температура перехода ……………………………………………………………… 423 К

Температура окружающей среды ………………………………………………….От 213 до

393 К


Семейство вольтамперных характеристик:







Iпр,мА








200








160








120








80








40








0

0,4

0,8

1,2

1,6

2,0

Uпр






Расчёты и графики зависимостей:




  1. сопротивление постоянному току R= и переменному току (малый сигнал) r~ от прямого и обратного напряжения для комнатной температуры 298 К.

Зависимость тока от прямого напряжения:


Iпр,мА













200

I8













180













160













140













120













100














80













60













40














20

I1













0

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

U1

0,8

0,9

1,0

1,1

U8

Uпр




I1 = 10 мА, U1 = 0,63 В, R1 = U1 / I1 = 0,63 / 10 мА = 63 Ом

I2 = 20 мА, U2 = 0,73 В, R2 = U2 / I2 = 0,73 / 20 мА = 36,5 Ом

I3 = 40 мА, U3 = 0,81 В, R3 = U3 / I3 = 0,81 / 40 мА = 20,3 Ом

I4 = 60 мА, U4 = 0,86 В, R4 = U4 / I4 = 0,86 / 60 мА = 14,3 Ом

I5 = 80 мА, U5 = 0,90 В, R5 = U5 / I5 = 0,90 / 80 мА = 11,3 Ом

I6 = 120 мА, U6 = 0,97 В, R6 = U6 / I6 = 0,97 / 120 мА = 8,03 Ом

I7 = 160 мА, U7 = 1,03 В, R7 = U7 / I7 = 1,03 / 160 мА = 6,4 Ом

I8 = 200 мА, U8 = 1,10 В, R8 = U8 / I8 = 1,10 / 200 мА = 5,5 Ом


?I1 = 10 мА, ?U1 = 0,10 В, r1 = ?U1 / ?I1 = 0,10 / 10 мА = 10 Ом

?I2 = 20 мА, ?U2 = 0,08 В, r2 = ?U2 / ?I2 = 0,08 / 20 мА = 4 Ом

?I3 = 20 мА, ?U3 = 0,05 В, r3 = ?U3 / ?I3 = 0,05 / 20 мА = 2,5 Ом

?I4 = 20 мА, ?U4 = 0,04 В, r4 = ?U4 / ?I4 = 0,04 / 20 мА = 2 Ом

?I5 = 40 мА, ?U5 = 0,07 В, r5 = ?U5 / ?I5 = 0,07 / 40 мА = 1,7 Ом

?I6 = 40 мА, ?U6 = 0,06 В, r6 = ?U6 / ?I6 = 0,06 / 40 мА = 1,5 Ом

?I7 = 40 мА, ?U7 = 0,07 В, r7 = ?U7 / ?I7 = 0,07 / 40 мА = 1,7 Ом

Зависимость сопротивления постоянному току R= от прямого напряжения Uпр:


R=,Ом













70

R1













60













50














40













30













20














10

R8













0

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

U1

0,8

0,9

1,0

1,1

U8

Uпр


Зависимость сопротивления переменному току r~ от прямого напряжения Uпр:


r~,Ом













10













9













8













7














6













5














4













3













2














1














0

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

U1

0,8

0,9

1,0

1,1

U7

Uпр



Зависимость тока Iобр от обратного напряжения Uобр:




Iобр,мкА












5,0

I7












4,5












4,0












3,5












3,0












2,5













2,0












1,5












1,0













0,5

I1












0

5

10

15

20

25

30

35

40

U1

45

50

U7

Uоб




I1 = 0,25 мкА, U1 = 37 В, R1 = U1 / I1 = 37 / 0,25 мкА = 148 МОм

I2 = 0,50 мкА, U2 = 40 В, R2 = U2 / I2 = 40 / 0,50 мкА = 80 МОм

I3 = 1,00 мкА, U3 = 42 В, R3 = U3 / I3 = 42 / 1,00 мкА = 42 МОм

I4 = 2,00 мкА, U4 = 44 В, R4 = U4 / I4 = 44 / 2,00 мкА = 22 МОм

I5 = 3,00 мкА, U5 = 46 В, R5 = U5 / I5 = 46 / 3,00 мкА = 15,3 МОм

I6 = 4,00 мкА, U6 = 48 В, R6 = U6 / I6 = 48 / 4,00 мкА = 12 МОм

I7 = 5,00 мкА, U7 = 50 В, R7 = U7 / I7 = 50 / 5,00 мкА = 10 МОм


?I1 = 0,25 мкА, ?U1 = 3 В, r1 = ?U1 / ?I1 = 3 / 0,25 мкА = 12 МОм

?I2 = 0,50 мкА, ?U2 = 2 В, r2 = ?U2 / ?I2 = 2 / 0,50 мкА = 4 МОм

?I3 = 1,00 мкА, ?U3 = 2 В, r3 = ?U3 / ?I3 = 2 / 1,00 мкА = 2 МОм

?I4 = 1,00 мкА, ?U4 = 2 В, r4 = ?U4 / ?I4 = 2 / 1,00 мкА = 2 МОм

?I5 = 1,00 мкА, ?U5 = 2 В, r5 = ?U5 / ?I5 = 2 / 1,00 мкА = 2 МОм

?I6 = 1,00 мкА, ?U6 = 2 В, r6 = ?U6 / ?I6 = 2 / 1,00 мкА = 2 МОм


Зависимость сопротивления постоянному току R= от обратного напряжения Uобр:


R=, МОм












160












140












120












100













80












60












40













20












0

5

10

15

20

25

30

35

40

U1

45

50

U7

Uоб


Зависимость сопротивления переменному току r~ от обратного напряжения Uобр:


r~, МОм












12












10













8












6












4













2













0

5

10

15

20

25

30

35

40

U1

45

50

U7

Uоб




  1. График зависимости ёмкость Собр от обратного напряжения:






Сд,

пФ






4






3






2






1







0

20

40

60

80

UобрВ




Определение величин температурных коэффициентов.



Определим графически из семейства вольтамперных характеристик величины температурных коэффициентов ТКUпр и ТКIобр.


Iпр,мА










200











160










120










80











40










0

0,2

0,4

0,6

0,8

1,0


1,2

U1

1,4

1,6

U2

Uпр


I = 200 мА, U1= 1,5 B, U2= 1,1 B, T1= 298 K, T2= 213 K



Iобр,мкА








150

I2








125

398К







100







75







50







25

I1







0

10

20

30

40


50

U

60

UобрВ


U = 50 B, I1= 5 мкА, I2= 150 мкА, Т1= 298 К, Т2= 398 К





Определение сопротивления базы.




Величина сопротивления базы rб оценивается по наклону прямой ветви ВАХ при больших токах (Т=298К):


Iпр,мА








500

I2








400







300

U1








200

U2

I1








100







0

0,2

0,4

0,6

0,8

1,0


1,2


Uпр




Тепловой потенциал:





По вольтамперной характеристике определяем:



U1 = 1,1 В, U2 = 1,2 В,



I1 = 200 мА, I2 = 500 мА









Малосигнальная высокочастотная схема диода

и величины её элементов.







Малосигнальная высокочастотная схема диода при обратном смещении:








Величины элементов схемы при Uобр = 5 В :









Библиографический список.





  1. “Электронные приборы: учебник для вузов” Дулин В.Н., Аваев Н.А., Демин В.П. под ред. Шишкина Г.Г. ; Энергоатомиздат, 1989 г..

  1. Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1980г.

  1. Справочник “ Полупроводниковые приборы: диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы”; М.: Энергоатомиздат, 1987г..

  1. “ Исследование характеристик и параметров полупроводниковых приборов” методические указания к лабораторной работе по курсу “ Электронные приборы”; Свердловск, 1989г..



© Рефератбанк, 2002 - 2017