Вход

Элементная база радиоэлектронной аппаратуры

Контрольная работа по радиоэлектронике
Дата добавления: 21 декабря 1998
Язык контрольной: Русский
Word, rtf, 1.9 Мб
Контрольную можно скачать бесплатно
Скачать
Данная работа не подходит - план Б:
Создаете заказ
Выбираете исполнителя
Готовый результат
Исполнители предлагают свои условия
Автор работает
Заказать
Не подходит данная работа?
Вы можете заказать написание любой учебной работы на любую тему.
Заказать новую работу




УПИ – УГТУ


Кафедра радиоприёмные устройства.















Контрольная работа № 2

по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “.


Вариант № 17

Шифр:


Ф.И.О


Заочный факультет

Радиотехника

Курс: 3




















Работу не высылать.

УПИ – УГТУ


Кафедра радиоприёмные устройства.















Контрольная работа № 2

по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “.


Вариант № 17

Шифр:


Ф.И.О


Заочный факультет

Радиотехника

Курс: 3




















Работу не высылать.

Аннотация.



Целью работы является активизация самостоятельной учебной работы, развитие умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых приборов.







Исходные данные:





Тип транзистора ………………………………………………………………… ГТ310Б

Величина напряжения питания Еп ……………………………………………... 5 В

Сопротивление коллекторной нагрузки Rк …………………………………… 1,6 кОм

Сопротивление нагрузки Rн ……………………………………………………. 1,8 кОм



Схема включения транзистора с общим эмиттером, с фиксированным током базы, с резистивно- ёмкостной связью с нагрузкой.










Биполярный транзистор ГТ310Б.




Краткая словесная характеристика:



Транзисторы германиевые диффузионно- сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные.

Предназначены для работы в усилителях высокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке.

Масса транзистора не более 0,1 г..




Электрические параметры.



Коэффициент шума при ѓ = 1,6 МГц, Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА не более ……………. 3 дБ

Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала

при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА, ѓ = 50 – 1000 Гц ……………………………….. 60 – 180

Модуль коэффициента передачи тока H21э

при Uкб= 5 В, IЭ= 5 мА, ѓ = 20 МГц не менее …………………………... 8

Постоянная времени цепи обратной связи

при Uкб= 5 В, IЭ= 5 мА, ѓ = 5 МГц не более ………………………….… 300 пс

Входное сопротивление в схеме с общей базой

при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА …………………………………………………… 38 Ом

Выходная проводимость в схеме с общей базой

при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА, ѓ = 50 – 1000 Гц не более …………………….. 3 мкСм

Ёмкость коллектора при Uкб= 5 В, ѓ = 5 МГц не более ………………………… 4 пФ




Предельные эксплуатационные данные.



Постоянное напряжение коллектор- эмиттер:

при Rбэ= 10 кОм ……………….………………………………………… 10 В

при Rбэ= 200 кОм ……………….……………………………………….. 6 В

Постоянное напряжение коллектор- база ………………………………………... 12 В

Постоянный ток коллектора ……………………………………………………… 10 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т = 233 – 308 К ………... 20 мВт

Тепловое сопротивление переход- среда ………………………………………... 2 К/мВт

Температура перехода ……………………………………………………………. 348 К

Температура окружающей среды ………………………………………………... От 233 до

328 К

Примечание. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т = 308 – 328 К определяется по формуле:


PК.макс= ( 348 – Т )/ 2



Входные характеристики.


Для температуры Т = 293 К :



Iб, мкА









200









160









120









80









40









0

0,05

0,1

0,15

0,2

0,25

0,3

0,35

Uбэ



Выходные характеристики.


Для температуры Т = 293 К :




Iк ,

Iб= 80 мкА

мА








9








8








7








6








5








4








3








2








1








0

1

2

3

4

5

6

Uкэ



Нагрузочная прямая по постоянному току.




Уравнение нагрузочной прямой по постоянному току для схемы включения с общим эмиттером:


Построим нагрузочную прямую по двум точкам:

при Iк= 0, Uкэ= Еп = 9 В, и при Uкэ= 0, Iк= Еп / Rк = 9 / 1600 = 5,6 мА


Iк ,

мА











6












5











4






А






3

Iк0











2











1











0

1

2

3

4

5

Uкэ0

6

7

8

9

Еп

Uкэ


Iб, мкА

Uкэ= 0 В











50










40










30

Iб0










20










10










0

0,15

0,17

0,19

0,21

0,23

0,25

0,27

0,29

Uбэ0

0,31

Uбэ


Параметры режима покоя (рабочей точки А):

Iк0= 3 мА, Uкэ0= 4,2 В, Iб0= 30 мкА, Uбэ0= 0,28 В


Величина сопротивления Rб:



Определим H–параметры в рабочей точке.



Iк ,

Iб = 40 мкА

мА











6

Iб0= 30 мкА












5











4





?Iк0






3













?Iк



2











1











0

1

2

3

4

5

Uкэ0

6

7

8

9

Еп

Uкэ

?Uкэ


Iб, мкА

Uкэ= 4,2 В











50










40




?Iб






30

Iб0









20










10










0

0,15

0,17

0,19

0,21

0,23

0,25

0,27

0,29

Uбэ0

0,31

Uбэ

?Uбэ



?Iк0= 1,1 мА, ?Iб0 = 10 мкА, ?Uбэ = 0,014 В, ?Iб = 20 мкА, ?Uкэ= 4 В, ?Iк= 0,3 мА



H-параметры:




Определим G – параметры.



Величины G-параметров в рабочей точке определим путём пересчёта матриц:





G-параметр:

G11э= 1,4 мСм, G12э= - 0,4*10 –6


G21э= 0,15 , G22э= 4,1*10 –3 Ом





Определим величины эквивалентной схемы биполярного транзистора.




Схема Джиаколетто – физическая малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема биполярного транзистора:



Величины элементов физической эквивалентной схемы транзистора и собственная постоянная времени транзистора определяются соотношениями (упрощёнными):






Собственная постоянная времени транзистора:


Крутизна:







Определим граничные и предельные частоты транзистора.





Граничная частота коэффициента передачи тока:



Предельная частота коэффициента передачи тока базы в схеме с общим эммитером:


Максимальная частота генерации:



Предельная частота коэффициента передачи тока эммитера в схеме с общим эммитером:


Предельная частота проводимости прямой передачи:



Определим сопротивление нагрузки транзистора и построим нагрузочную прямую.





Сопротивление нагрузки транзистора по переменному току:






Нагрузочная прямая по переменному току проходит через точку режима покоя


Iк0= 3 мА, Uкэ0= 4,2 В и точку с координатами:


Iк= 0, Uкэ= Uкэ0+ Iк0*R~= 4,2 + 3*10 –3 * 847 = 6,7 В






Iк ,

мА











6












5











4






А






3

Iк0











2











1











0

1

2

3

4

5

Uкэ0

6

7

8

9

Еп

Uкэ



Определим динамические коэффициенты усиления.





Iк ,

мА











6












5








А






4








?Iк


3

Iк0










2

Iб1= 20 мкА











1











0

1

2

3

4

5

Uкэ0

6

7

8

9

Еп

Uкэ

?Uкэ


Iб, мкА

Uкэ= 4,2 В











50










40




?Iб






30

Iб0









20










10










0

0,15

0,17

0,19

0,21

0,23

0,25

0,27

0,29

Uбэ0

0,31

Uбэ

?Uбэ



?Iк= 2,2 мА, ?Uкэ= 1,9 В, ?Iб = 20 мкА, ?Uбэ = 0,014 В



Динамические коэффициенты усиления по току КI и напряжению КU определяются соотношениями:



Выводы:






Данная работа активизировала самостоятельную работу, развила умение

выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых транзисторов, дала разностороннее представление о конкретных электронных элементах.











Библиографический список.





  1. “Электронные приборы: учебник для вузов” Дулин В.Н., Аваев Н.А., Демин В.П. под ред. Шишкина Г.Г. ; Энергоатомиздат, 1989 г..

  1. Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1980г.

  1. Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1969г.

  1. Справочник “ Полупроводниковые приборы: транзисторы”; М.: Энергоатомиздат, 1985г..

  1. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам; М.: Энергия, 1976г..

  1. Справочник “ Транзисторы для аппаратуры широкого применения ”; М.: Радио и связь, 1981г..




© Рефератбанк, 2002 - 2017