* Данная работа не является научным трудом, не является выпускной квалификационной работой и представляет собой результат обработки, структурирования и форматирования собранной информации, предназначенной для использования в качестве источника материала при самостоятельной подготовки учебных работ.
Учреждение образования
БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОН И КИ
Кафедра электронной техники и технологии
РЕФЕРАТ
на тему
«ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НЕЛИНЕЙНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ»
МИНСК, 2008
Диоды - полупроводниковые приборы, которые пропускают ток в одном напра в лении, а в обратном имеют большое сопротивление.
Рис. 1. Принцип работы р-n перех о да:
а) диффузионный и дрейфовый токи через переход; б) графики распределения концентраций носителей заряда в p и n областях (Nnn, Npp - концентрации осно в ных носителей, Nnp, Npn - концентрации неосновных носителей); в) диаграммы потенциала p и n областей. С увеличением температуры растёт концентрация неосновных нос и телей заряда и уменьшается высота потенциального барьера.
При U AK = 0 существует баланс диффузионной и дрейфовой составляющих токов через п е реход
i диф = i др = I S (T)
I пр = I обр
I я = I пр - I обр = 0
При прямом смещении р-n - перехода U AK > 0 появляется прямой ток, определяемый осно в ной диффузионной составляющей
I пр = i диф – i др >0
При U AK < 0 появляется обратный ток, определяемый дрейфовой с о стовляющей
I обр = i др - i диф > 0.
Т.к. p-n - переход при обратном смещении закрывается из-за увеличения шир и ны ОПЗ и i диф