Вход

Полупроводниковые нелинейные элементы: полупроводниковые диоды

Реферат по радиоэлектронике
Дата добавления: 22 июня 2009
Язык реферата: Русский
Word, rtf, 4.4 Мб
Реферат можно скачать бесплатно
Скачать
Не подходит данная работа?
Вы можете заказать написание любой учебной работы на любую тему.
Заказать новую работу
Учреждение образования БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОН И КИ Кафедра электронной техники и технологии РЕФЕРАТ на тему «ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НЕЛИНЕЙНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ» МИНСК, 2008 Диоды - полупроводниковые приборы, которые пропускают ток в одном напра в лении, а в обратном имеют большое сопротивление. Рис. 1. Принцип работы р-n перех о да: а) диффузионный и дрейфовый токи через переход; б) графики распределения концентраций носителей заряда в p и n областях (Nnn, Npp - концентрации осно в ных носителей, Nnp, Npn - концентрации неосновных носителей); в) диаграммы потенциала p и n областей. С увеличением температуры растёт концентрация неосновных нос и телей заряда и уменьшается высота потенциального барьера. При U AK = 0 существует баланс диффузионной и дрейфовой составляющих токов через п е реход i диф = i др = I S (T) I пр = I обр I я = I пр - I обр = 0 При прямом смещении р-n - перехода U AK > 0 появляется прямой ток, определяемый осно в ной диффузионной составляющей I пр = i диф – i др >0 При U AK < 0 появляется обратный ток, определяемый дрейфовой с о стовляющей I обр = i др - i диф > 0. Т.к. p-n - переход при обратном смещении закрывается из-за увеличения шир и ны ОПЗ и i диф
© Рефератбанк, 2002 - 2017