Рекомендуемая категория для самостоятельной подготовки:
Доклад*
| Код |
617032 |
| Дата создания |
2022 |
| Страниц |
4
|
Мы сможем обработать ваш заказ (!) 21 октября в 12:00 [мск] Файлы будут доступны для скачивания только после обработки заказа.
|
Введение
За более чем полувековую историю исследований электрохимического анодного травления полупроводников в режиме порообразования не раз были предприняты попытки объяснения процессов, приводящих к зарождению механизма и прорастанию в кристаллы массивов пор. Однако до сих пор среди ученых нет единого представления о химических и электрофизических механизмах, обеспечивающих порообразование.
Все процессы порообразования в полупроводниках, независимо от исходных условий (состав электролита, состав состава и уровеньуровеня легирования исходных кристаллов), объединяются общими признаками, такими как:
а) спонтанная локализация химического процесса в дискретных, однородно распределенных областях межфазной границы, включающих как минимум сотни атомов решетки травящегося кристалла;
б) эффективная валентность атомов кристалла, определяемая по соотношению их количества, переходящего в раствор в единицу времени, к величине анодного тока, не достигает своего группового значения. Для кремния, в частности, она близка к 2 в условиях выделения водорода из области протекания анодной реакции.
Отсутствие адекватных теоретических представлений тормозит развитие прикладных исследований, т.к. направления поиска остаются неопределенными. В ряде статей предложены физические модели, объясняющие отдельные аспекты процессов порообразования. Обычно модели порообразования строятся, исходя из представлений о неустойчивости к малым периодическим возмущениям планарной границы раздела кристалл − электролит в условиях электрохимического травления [21] и локализации анодного тока на вогнутой поверхности дна прорастающих пор вследствие туннельного переноса или лавинного пробоя слоя объемного заряда в полупроводнике или диэлектрическом слое оксидной фазы на его поверхности [31].
Фрагмент работы для ознакомления
Доклад на тему: «Механизм порообразования в полупроводниках»
Предмет: Физика
Оригинальность на Антиплагиат.РУ (модуль - Интернет): 50%
Список литературы
1. Ансельм А. И. Введение в теорию полупроводников. – М.: Лань, 2021. – 624 c.
5. Грундман М. Основы физики полупроводников. Нанофизика и технические приложения. – М.: Физматлит, 2012. – 772 c.
6. Данлэп У. Введение в физику полупроводников. – М.: Издательство иностранной литературы, 2018. – 430 c.
7. Иоффе А.Ф. Избранные труды (том 2). Излучение, электроны, полупроводники. – М.: [не указано], 2020. – 425 c.
8. Кольцов Г.И., Диденко С.И., Орлова М.Н. Физика полупроводниковых приборов: Расчет параметров биполярных приборов: Сборник задач: № 1893. – М.: МИСиС, 2012. – 78 c.
12. Легирование полупроводников ионным внедрением. – М.: Мир, 2018. – 532 c.
13. Лоренц Х.А. Курс физики. В 2 т. – М.: Ленанд, 2016. – 824 c.
17. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. СПб.: Лань. – 2006. – 479 с.
19. Слэтер Дж. Диэлектрики. Полупроводники. Металлы. – М.: Мир, 2020. – 648 c.
Пожалуйста, внимательно изучайте содержание и фрагменты работы. Деньги за приобретённые готовые работы по причине несоответствия данной работы вашим требованиям или её уникальности не возвращаются.
* Категория работы носит оценочный характер в соответствии с качественными и количественными параметрами предоставляемого материала. Данный материал ни целиком, ни любая из его частей не является готовым научным трудом, выпускной квалификационной работой, научным докладом или иной работой, предусмотренной государственной системой научной аттестации или необходимой для прохождения промежуточной или итоговой аттестации. Данный материал представляет собой субъективный результат обработки, структурирования и форматирования собранной его автором информации и предназначен, прежде всего, для использования в качестве источника для самостоятельной подготовки работы указанной тематики.
bmt: 0.00365