Вход

Физическая сущность возникновения избыточной поверхностной проводимости и ее измерение

Рекомендуемая категория для самостоятельной подготовки:
Реферат*
Код 576916
Дата создания 2014
Страниц 5
Мы сможем обработать ваш заказ (!) 18 ноября в 12:00 [мск]
Файлы будут доступны для скачивания только после обработки заказа.
790руб.
КУПИТЬ

Содержание

Физическая сущность возникновения избыточной поверхностной проводимости и ее измерение
Итак, начнем с того, что зависимость поверхностнойпроводимости обозначается σs, а поверхностный электростатический потенциалφs.
Для того, чтобы понять смысл понятия поверхностной проводимости, необходимо рассмотреть некоторые понятия, что ниже будут представлены. Рассмотрим для определенности полупроводника с электроннойпроводимостью и начнем с больших положительных значений φs , когда в приповерхностном слое обогащения находится большой избыток электронов, который можно приблизительно вычислить следующим выражением:

Введение

0

Фрагмент работы для ознакомления

Эта зависимость объясняется процессами захвата электронов проводимостиповерхностными состояниями. Быстрый спад проводимости вначале связан с захватом электронов быстрыми поверхностными состояниями (участок 1). Медленный спад проводимости (участок 2-3) зависит от толщины окисного слоя на поверхности, а также от химического состава окружающей среды и может быть объяснен заполнением медленных поверхностных состояний. Таким образом, результаты исследования эффекта поля позволяют определить тип проводимости полупроводника, найти начальный изгиб зон, вызванный поверхностными состояниями, установить величину заряда, захваченного этими состояниями в зависимости от изгиба зон, определить концентрацию и энергетическое положение поверхностных состояний. И, наконец, изучая кинетику эффекта поля, можно определить время релаксации быстрых и медленных поверхностных состояний.  

Список литературы

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

1. Киселев В. Ф., Козлов С. Н., Зотеев А. В. Основы физики поверхности твёрдого тела. — М.: Изд-во Московского университета. Физический факультет МГУ, 1999.
2. Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977.-672с.
3. Кобболд Р. Теория и применение полевых транзисторов. Ленинград: Энергия, 1975.-304с.
4. Н.Ашкрофт, Н Мермин, Физика твердого тела
5. П. П. Коноров, А. М. Яфясов Физика поверхности полупроводниковых электродов. — СПб.: Изд. С.-Петербургского университета, 2003.

Очень похожие работы
Найти ещё больше
Пожалуйста, внимательно изучайте содержание и фрагменты работы. Деньги за приобретённые готовые работы по причине несоответствия данной работы вашим требованиям или её уникальности не возвращаются.
* Категория работы носит оценочный характер в соответствии с качественными и количественными параметрами предоставляемого материала. Данный материал ни целиком, ни любая из его частей не является готовым научным трудом, выпускной квалификационной работой, научным докладом или иной работой, предусмотренной государственной системой научной аттестации или необходимой для прохождения промежуточной или итоговой аттестации. Данный материал представляет собой субъективный результат обработки, структурирования и форматирования собранной его автором информации и предназначен, прежде всего, для использования в качестве источника для самостоятельной подготовки работы указанной тематики.
bmt: 0.00408
© Рефератбанк, 2002 - 2024