Рекомендуемая категория для самостоятельной подготовки:
Реферат*
| Код |
576380 |
| Дата создания |
2019 |
| Страниц |
15
|
Мы сможем обработать ваш заказ (!) 20 декабря в 12:00 [мск] Файлы будут доступны для скачивания только после обработки заказа.
|
Содержание
Введение 3
1 Понятие и основные параметры IGBT-транзисторов 4
2 Устройство и сфера применения 8
Заключение 14
Список использованных источников 16
Введение
В современной силовой электронике широкое распространение получили так называемые транзисторы IGBT. Данная аббревиатура заимствована из зарубежной терминологии и расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, а на русский манер звучит как биполярный транзистор с изолированным затвором. Поэтому IGBT транзисторы ещё называют БТИЗ.
БТИЗ представляет собой электронный силовой прибор, который используется в качестве мощного электронного ключа, устанавливаемого в импульсные источники питания, инверторы, а также системы управления электроприводами.
Целью данной работы является анализ назначения и устройства IGBT-транзистора.
Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:
рассмотреть понятие и основные параметры IGBT-транзисторов;
проанализировать устройство и сферу применения IGBT-транзисторов.
Объектом работы выступает IGBT-транзистор. Предметом - его устройство и область применения.
Фрагмент работы для ознакомления
Тема: IGBT-транзистор
Дисциплина: Электроника
Дата изготовления: ноябрь 2019 года.
Учебное заведение: Неизвестно.
Работа была успешно сдана - заказчик претензий не имел.
Уникальность работы по Antiplagiat.ru на 25.01.2020 г. составила 90%.
Если не можете купить данную работу на этом сайте (такое бывает) или хотите получить дополнительную информацию (например, об оригинальности работы в разных системах проверки), то выберите меня исполнителем этого заказа и мы поговорим в чате....
Список литературы
1. Биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT [Электронный ресурс]. – URL: https://elwo.ru/publ/spravochniki/bipoljarnye_tranzistory_s_izolirovannym_zatvorom_igbt/2-1-0-306 (дата обращения: 25.11.2019).
2. Болдырев А.Ю. Рекомендации по применению IGBT производства Протон-электротекс / А.Ю. Болдырев. – 2017. – 24 с.
3. Бормотов А. Некоторые вопросы эксплуатации IGBT-модулей / А. Бормотов, В. Мартыненко // Компоненты и технологии. – 2015. – №5. – С. 116-120.
4. Розанов, Ю. К. Силовая электроника: учебник и практикум для академического бакалавриата / Ю. К. Розанов, М. Г. Лепанов; под редакцией Ю. К. Розанова. – М.: Издательство Юрайт, 2019. – 206 с.
5. Транзисторы IGBT – основные компоненты современной силовой электроники [Электронный ресурс]. – URL: http://electrik.info/main/praktika/1589-igbt-tranzistory-osnovnye-komponenty-silovoy-elektroniki.html (дата обращения: 25.11.2019).
6. Энциклопедия устройств на полевых транзисторах / В. П. Дьяконов, А. А. Максимчук, А.М. Ремнев, В.Ю. Смердов. – М.: СОЛОН-ПРЕСС, 2017. – 513 c.
Пожалуйста, внимательно изучайте содержание и фрагменты работы. Деньги за приобретённые готовые работы по причине несоответствия данной работы вашим требованиям или её уникальности не возвращаются.
* Категория работы носит оценочный характер в соответствии с качественными и количественными параметрами предоставляемого материала. Данный материал ни целиком, ни любая из его частей не является готовым научным трудом, выпускной квалификационной работой, научным докладом или иной работой, предусмотренной государственной системой научной аттестации или необходимой для прохождения промежуточной или итоговой аттестации. Данный материал представляет собой субъективный результат обработки, структурирования и форматирования собранной его автором информации и предназначен, прежде всего, для использования в качестве источника для самостоятельной подготовки работы указанной тематики.
bmt: 0.00425