резонансное туннелирование

Введение………………………………………………………………….3
1. Резонансный туннельный эффект…………………………….8
2. Резонансно туннельный диод……………………………….14

Резонансный туннельный эффект

В гетеропереходах и квантовых ямах отклик электронов на приложенное электрическое поле, направленное параллельно поверхности раздела, соответствует очень высокой подвижности. Рассмотрим отклик электронов на электрические поля, направленные перпендикулярно потенциальным барьерам на поверхностях раздела. В этом случае электроны могут, при соблюдении определенных условий, просто туннелировать через потенциальные барьеры, осуществляя так называемый перпендикулярный транспорт. Туннельные токи через гетеропереходы могут приводить к формированию областей с отрицательным дифференциальным сопротивлением (NDR) на вольт-амперной характеристике, для которых величина протекающего тока уменьшается с ростом прикладываемого напряжения. Этот эффект впервые был обнаружен Лео Эсаки еще в 1957 г. при изучении туннельных диодов с р-п переходами. В 1970 г.
...

Наноустройства, наноэлектроника, наносенсоры

История устройств с туннельными переходами разного типа (в том числе резонансными) насчитывает почти три десятилетия, однако лишь после 1997 г. стала рассматриваться возможность их применения в качестве функциональных элементов электронных схем. В технологии изготовления таких квантовых устройств особое значение имело внедрение методов эпитаксиального роста кристаллов и контроля над этими процессами в наномасштабе, что привело к организации их промышленного производства с гибкими технологическими схемами и высокой воспроизводимостью. Диод с резонансным туннелированием содержит области эмиттера и коллектора, а также барьер двойного туннелирования (рис. 1). Квантовая яма является настолько узкой (5—10 нм), что в ней может содержаться только один, так называемый «резонансный» энергетический уровень.

Рис.6. Характеристики устройства с резонансным туннелированием.
...