Рекомендуемая категория для самостоятельной подготовки:
Дипломная работа*
| Код |
564435 |
| Дата создания |
2016 |
| Страниц |
42
|
Мы сможем обработать ваш заказ (!) 19 декабря в 16:00 [мск] Файлы будут доступны для скачивания только после обработки заказа.
|
Содержание
Содержание
Введение 4
1 Диод с накоплением заряда в режиме переключения 6
1.1 Особенности структуры диодов с накоплением заряда 6
1.2 Характеристики диодов с p-i-n структурой 12
1.3 Процессы, протекающие в полупроводниковой структуре диода с накоплением заряда при прямом и обратном смещении 17
2 Алгоритмы автоматизированного комплекса 21
2.1 Структура измерительного комплекса 21
2.2 Устройство сопряжения измерительного модуля и источников питания 24
3 Исследование переходных процессов при переключении диодов с накоплением заряда 27
3.1 Разработка программного комплекса автоматизации измерений 32
3.2 Анализ результатов экспериментального исследования 35
Заключение 38
Список использованной литературы 39
Введение
Введение
Нано- и субнаносекундные электрические импульсы пиковой мощностью от мегаватт до тераватт используются в целом ряде областей самой современной техники, таких как релятивистская СВЧ-электроника, сверхширокополосная радиолокация, электромагнитное противодействие, исследование электромагнитной совместимости сложных систем, подземная радиолокация, системы питания лазеров и ускорителей и т.п. Мощные короткие импульсы используются также и в целом ряде направлений современной экспериментальной физики, например, в области управляемого термоядерного синтеза и в других крупномасштабных физических экспериментах [1].
В настоящее время используется два подхода для генерации сверхширокополосных сигналов, в частности сверхкоротких импульсов. Критерием для определения подхода является способ накопления энергии – накопление в емкостных накопителях или в магнитном поле индуктивного контура с током. Свойства индуктивных накопителей превосходят свойства емкостных, в результате чего в импульсной технике отдается предпочтение первому способу. Для быстрого обрыва больших токов используются полупроводниковые приборы, в частности диоды с резким восстановлением обратного сопротивления (диоды с накоплением заряда). Работа таких прерывателей основана на эффекте «жесткого» восстановления блокирующей способности диодов, в качественном отношении, описанном еще в 60-х годах прошлого века [2]. Особенно ярко эффект проявляется при определенных условиях, которые были впервые реализованы авторами работы [3] и затем неоднократно уточнялись. Работа генераторов СКИ основана на использовании нелинейных эффектов накопления и рассасывания заряда в полупроводниковой структуре ДНЗ.
Фрагмент работы для ознакомления
Работа защищена на "отлично" в 2016 году на кафедре электроники физического факультета Воронежского Государственого Университета. Уровень оригинальности по версии системы antiplagiat.ru - 69,24%.
Автоматизация исследований диодов с накоплением заряда в режиме переключения.
Бакалаврская работа по направлению 03.03.03 Радиофизика, Воронеж, ВГУ, 2016 г. – 41 стр., 11 рис. и 26 источников.
Ключевые слова: диод с накоплением заряда, p-i-n структура, автоматизированный комплекс, устройство сопряжения, переходные процессы.
В работе описан способ исследования переходных процессов в диоде с накоплением заряда (ДНЗ) при прямом и обратном смещении. Разработан автоматизированный программно-аппаратный комплекс для измерений и анализа переходных характеристик исследуемых диодов. Разработанное с помощью языка программирования NI LabView программное обеспечение позволяет производить расчеты основных параметров ДНЗ, такие как: величина накопленного в полупроводниковой структуре заряда, эффективной время жизни носителей заряда, время переключения диода.
Полученные в работе результаты могут быть использованы при разработке генераторов сверхкоротких импульсов в составе сверхширокополосных систем, а также высокочастотных умножителей частоты.
Список литературы
Список использованной литературы
1. Месяц Г. А. Генерирование мощных наносекундных импульсов / Г. А. Месяц. – М.: Сов. Радио, 1974. – 256 с.
2. Benda H. Reverse recovery processes in silicon power rectifiers / Benda H., Spenke E. // Proc. IEEE. – 1967. – Vol. 55. N 8. - P. 1331-1354
3. Грехов И. В. Новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами / И. В. Грехов, В. М. Тучкевич. – Л.: Наука, 1988. – 117 с.
4. Грехов И. В. Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов / И. В. Грехов, Г. А. Месяц // Успехи физических наук. – 2005. – т. 175. – №7. – С. 735-744.
5. Горюнов Н. Н. Полупроводниковые диоды. Параметры, методы измерений / Н. Н. Горюнов, Ю. Р. Носов. – М.: Советское радио, 1968. – 304 с.
6. Носов Ю. Р. Полупроводниковые диоды с накоплением заряда и их применение / Ю. Р. Носов [и др.] под ред. Ю. Р. Носова. – М: Советское радио, 1966. – 152с.
7. Еремин С. А. Полупроводниковые диоды с накоплением заряда и их применение / С. А. Еремин, О. К. Мокеев, Ю. Р. Носов. – М.: Издательство Советское радио, 1966. – 152 с.
8. Ровдо А. А. Полупроводниковые диоды и схемы с диодами / А. А. Ровдо. – М.: Лайт Лтд., 2000. – 288 с.
9. Зи С. Физика полупроводниковых приборов / С. Зи. – Пер. с англ. под ред. А. Ф. Трутко. – М.: Энергия, 1973. – 655с.
10. Белкин В. С. Формирователи мощных наносекундных и пикосекундных импульсов на полупроводниковой элементной базе / В. С. Белкин, Г. И. Шульженко. – Новосибирск: ИЯФ СО АН СССР, 1990. – 36 с.
11. Месяц Г. А. Пикосекундная электроника больших мощностей / Г. А. Месяц, М. И. Яландин // Успехи физических наук. – 2005. – Т. 175. – № 3. – С. 225-246.
12. Кюрегян А. С. Физика и техника полупроводников / А. С. Кюрегян, С. Н. Юрков. – Л.: Наука, 1989. – 183 с.
13. Moll J. L. Physical Modeling of the Step Recovery Diode for Pulse and Harmonic Generation Circuits [Text] / J. L. Moll, S. A. Hamilton // Proceedings of the IEE. – vol. 37. – P.1250-1259.
14. Zhang Jian A New Model of Step Recovery Diode for CAD [Text] / Jian Zhang, Antti Raisanen // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 1995. – TH3F-H4 – P.1459-1462.
15. Katarzyna Opalska A charge model of step recovery diode for cad/ Opalska Katarzyna, Baranowski Jerzy // IEEE 0-7803-3814-6/9 TH3F-4, 1997. – P.1503-1506.
16. Бобрешов А.М. Особенности диодов с накоплением заряда при генерации сверхкоротких импульсов [Текст] / А.М. Бобрешов, Ю.И. Китаев, Г.К. Усков, Е.А. Руднев // 8-й Международный симпозиум по электромагнитной совместимости и электромагнитной экологии: тр. симп., 16-19 июня 2009 г. — СПб., 2009 . — С. 298-300.
17. Huldt L. Phys. Status Solidi / L. Huldt. – A 8, 1971. — 435 с.
18. Haug A. Solid State Commun / A. Haug. — 25, 1978. — 477 с.
19. Howard N. R. Solid-State Electron / N. R. Howard, G. V. Johnson. — 8, 1965. — 275 с.
20. Кузьмичев Д.А. Автоматизация экспериментальных исследований / Д. А. Кузьмичев, И. А. Радкевич, А. Д. Смирнов. М.: Наука, 1983. — 392 с.
21. Фомичев Н.И. Автоматизированные системы научных исследований / Н. И. Фомичев. – Ярославль: Изд-во Ярославского Гос. Ун-та, 2001. — 112 с.
22. Гуляев Ю. В. Актуальное состояние работ по автоматизации научных исследований в академических институтах / Ю. В. Гуляев, Е. Е. Журавлев, А. Я. Олейников. – Тр. XV Международного симпозиума по ядерной электронике и Международного симпозиума КАМАК-92. – Варшава, 29 сентября — 2 октября 1992 г., Дубна, 1993. С. 6—21.
23. Мячев А. А. Интерфейсы систем обработки данных / А. А. Мячев, В. Н. Степанов, В. К. Щербо. — М.: Радио и связь, 1989. — 306 с.
24. Цапенко М.П. Измерительные информационные системы: Структуры и алгоритмы, системотехническое проектирование / М.П. Цапенко. – М.: Энергоатомиздат, 1985. – 438 с.
25. Хазанов Б.И. Интерфейсы измерительных систем / Б.И Хазанов. – М.: Энергия, 1979. – 120 с.
Пожалуйста, внимательно изучайте содержание и фрагменты работы. Деньги за приобретённые готовые работы по причине несоответствия данной работы вашим требованиям или её уникальности не возвращаются.
* Категория работы носит оценочный характер в соответствии с качественными и количественными параметрами предоставляемого материала. Данный материал ни целиком, ни любая из его частей не является готовым научным трудом, выпускной квалификационной работой, научным докладом или иной работой, предусмотренной государственной системой научной аттестации или необходимой для прохождения промежуточной или итоговой аттестации. Данный материал представляет собой субъективный результат обработки, структурирования и форматирования собранной его автором информации и предназначен, прежде всего, для использования в качестве источника для самостоятельной подготовки работы указанной тематики.
bmt: 0.00475