Практическая работа 1-3 «Преобразовательные установки систем электроснабжения» Вариант 4 - Г, П, Ю РОСДИСТАНТ

«Преобразовательные установки систем электроснабжения»

Задание на практическую 1

Необходимо собрать и систематизировать справочную информацию по элементной базе полупроводниковых приборов.

Вариант 4 - Г, П, Ю - ДЛ161-250

Расшифруйте буквенно-цифровое обозначение заданного типа полупроводникового диода и выберите одно из его наименований по справочным данным.

Дайте краткую аннотацию технических характеристик полупроводникового диода (структуру, область применения, техническое исполнение и модификации).

Выпишите основные электрические параметры полупроводникового диода (средние и предельно допустимые электрические величины).

Найдите (в справочнике) эскиз полупроводникового диода в масштабе с указанием размеров.

Зарисуйте схему включения полупроводникового диода и кратко опишите принцип его работы. Укажите основные преимущества и недостатки применяемого полупроводникового диода.

Задание на практическую 2

Необходимо собрать и систематизировать справочную информацию по элементной базе полупроводниковых приборов.

Вариант 4 - Г, П, Ю - КН102

1. Расшифруйте буквенно-цифровое обозначение заданного типа полупроводникового тиристора (ГОСТ 10862-72 или ГОСТ 20859.1-89) и выберите одно из его наименований по справочным данным.

2. Дайте краткую аннотацию технических характеристик полупроводникового тиристора (структуру, область применения, техническое исполнение и модификации).

3. Выпишите основные электрические параметры полупроводникового тиристора (средние и предельно допустимые электрические величины).

4. Найдите (в справочнике) эскиз полупроводникового тиристора в масштабе с указанием размеров.

5. Зарисуйте схему включения полупроводникового тиристора и кратко опишите принцип его работы;

6. Укажите основные преимущества и недостатки применяемого полупроводникового тиристора.

Задание на практическую 3

Необходимо собрать и систематизировать справочную информацию по элементной базе полупроводниковых приборов.

Вариант - 4 Г, П, Ю МТТ4-100

1. Расшифруйте буквенно-цифровое обозначение заданного типа полупроводниковой модульной сборки и выберите один из его наименований по справочным данным.

2. Дайте краткую аннотацию технических характеристик модульной сборки (структуру, область применения, техническое исполнение и модификации).

3. Выпишите основные электрические параметры модульной сборки (средние и предельно допустимые электрические величины).

4. Найдите (в справочнике) эскиз модульной сборки в масштабе с указанием размеров.

5. Зарисуйте внутреннюю схему модульной сборки и кратко опишите функциональные возможности силового модуля.

Содержание

Задание на практическую 1

Задание на практическую 2

Задание на практическую 3