| Код | 528805 |
| Дата создания | 2022 |
|
Мы сможем обработать ваш заказ (!) 2 мая в 12:00 [мск]
Файлы будут доступны для скачивания только после обработки заказа.
|
|
Доклад на тему: «Механизм порообразования в полупроводниках»
Предмет: Физика
Оригинальность на Антиплагиат.РУ (модуль - Интернет): 50%
Объём: 4 стр.
1. Ансельм А. И. Введение в теорию полупроводников. – М.: Лань, 2021. – 624 c.
5. Грундман М. Основы физики полупроводников. Нанофизика и технические приложения. – М.: Физматлит, 2012. – 772 c.
6. Данлэп У. Введение в физику полупроводников. – М.: Издательство иностранной литературы, 2018. – 430 c.
7. Иоффе А.Ф. Избранные труды (том 2). Излучение, электроны, полупроводники. – М.: [не указано], 2020. – 425 c.
8. Кольцов Г.И., Диденко С.И., Орлова М.Н. Физика полупроводниковых приборов: Расчет параметров биполярных приборов: Сборник задач: № 1893. – М.: МИСиС, 2012. – 78 c.
12. Легирование полупроводников ионным внедрением. – М.: Мир, 2018. – 532 c.
13. Лоренц Х.А. Курс физики. В 2 т. – М.: Ленанд, 2016. – 824 c.
17. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. СПб.: Лань. – 2006. – 479 с.
19. Слэтер Дж. Диэлектрики. Полупроводники. Металлы. – М.: Мир, 2020. – 648 c.