Вход

Моделирование вольт-амперных характеристик диода Шоттки

Рекомендуемая категория для самостоятельной подготовки:
Дипломная работа*
Код 518342
Дата создания 2020
Мы сможем обработать ваш заказ (!) 2 мая в 12:00 [мск]
Файлы будут доступны для скачивания только после обработки заказа.
4 470руб.
КУПИТЬ

Описание

Создание диода Шоттки на основе халькогенидов свинца переменного состава позволяет переменной фазе регулировать ширину запрещенной зоны соответственно выходным параметрам за счет управления механизмов токопрохождения через потенциальный барьер.

Список литературы

1) Абрикосов Н.Х., Банкина В.Ф., Порецкая Л.В., Скуднова Е.В., Шелимова Л.Е. Полупроводниковые материалы на основе соединений. А<sup>4</sup>В<sup>6</sup>.// Наука. – М. – 1975. – С.194 – 195.

2) Ахмедов О.Р. Оптические свойства тонких пленок PbS / Ахмедов О.Р. Гусейналиев М.Г., Абдуллаев Н.А., Абдуллаев Н.М., Бабаев С.С., Касумов Н.А. // Физика и техника полупроводников. – 2016. – №50. – С. 51 – 54.

3) Довженко Д.С., Мартынов И.Л., Еремин И.C., Чистяков А.А. Исследование фотолюминесценции квантовых точек CdSe ZnS, внедренных в микрорезонатор из пористого кремния.// III Всероссийская конференция по фотонике и информационной оптике: сборник научных трудов. – М. – 2015. – С. 98 – 100.

4) Дроздов А.В., Данилов Д.С., Юнусов И.В., Гошин Г.Г. Моделирование диодов с барьером Шоттки для применения в монолитных интегральных схемах СВЧ.// Электроника измерительная техника и радиосвязь. – М. – 2018. – С. 28 – 31.

5) Зи С. Физика полупроводниковых приборов.// Энергия. – М. – 1979. – С. 430 – 450.

6) Зимин С.П., Горлачев Е.С. Наноструктурированные халькогениды свинца.//ЯрГУ. – Яр.– 2011. – С.220 – 222.

7) Марков В. Ф., Маскаева Л. Н., Китаев Г. А Кинетика химического осаждения PbS в присутствии галогенидов аммония, микроструктура и электрофизические свойства пленок // Журнал прикладной химии. – 2000. – № 8. – С. 52 – 56.

8) Морозова Н.К. Изоэлектронные центры кислорода и проводимость кристаллов CdS в сравнении с PbS / Морозова Н.К. Мирошников Б.Н. // Физика и техника полупроводников. – 2018. – Т 52. – С. 295 – 298.

Очень похожие работы
Пожалуйста, внимательно изучайте содержание и фрагменты работы. Деньги за приобретённые готовые работы по причине несоответствия данной работы вашим требованиям или её уникальности не возвращаются.
* Категория работы носит оценочный характер в соответствии с качественными и количественными параметрами предоставляемого материала. Данный материал ни целиком, ни любая из его частей не является готовым научным трудом, выпускной квалификационной работой, научным докладом или иной работой, предусмотренной государственной системой научной аттестации или необходимой для прохождения промежуточной или итоговой аттестации. Данный материал представляет собой субъективный результат обработки, структурирования и форматирования собранной его автором информации и предназначен, прежде всего, для использования в качестве источника для самостоятельной подготовки работы указанной тематики.
bmt: 0.00503
© Рефератбанк, 2002 - 2024