Рекомендуемая категория для самостоятельной подготовки:
Контрольная работа*
| Код |
501163 |
| Дата создания |
2017 |
Мы сможем обработать ваш заказ (!) 6 мая в 12:00 [мск] Файлы будут доступны для скачивания только после обработки заказа.
|
Описание
Задача 1.1. Определить ширину запрещенной зоны ΔW для заданного полупроводникового материала при температуре Т.
Дано:
материал Ge
T=300 K
β=0,782 эВ
α=3,9∙〖10〗^(-4) эВ/K
Найти: ∆W-?
Задача 2.1. Определить концентрацию основных nn и неосновных носителей pn при легировании полупроводникового кристалла с собственной концентрацией ni донорной примесью с концентрацией Nд.
Дано:
материал Ge
N_д=2∙〖10〗^20 м^(-3)
n_i=1,04∙〖10〗^19 м^(-3)
Найти: n_n-? p_n-?
Задача 3.1. Определить подвижность носителей заряда μn и μp при температуре Т.
Дано:
материал Ge
T=300 K
Найти: μ_n-? μ_p-?
Вариант 1. Сделаны все выводы и приведены подробные расчеты. При необходимости другого варианта обращайтесь по
Пожалуйста, внимательно изучайте содержание и фрагменты работы. Деньги за приобретённые готовые работы по причине несоответствия данной работы вашим требованиям или её уникальности не возвращаются.
* Категория работы носит оценочный характер в соответствии с качественными и количественными параметрами предоставляемого материала. Данный материал ни целиком, ни любая из его частей не является готовым научным трудом, выпускной квалификационной работой, научным докладом или иной работой, предусмотренной государственной системой научной аттестации или необходимой для прохождения промежуточной или итоговой аттестации. Данный материал представляет собой субъективный результат обработки, структурирования и форматирования собранной его автором информации и предназначен, прежде всего, для использования в качестве источника для самостоятельной подготовки работы указанной тематики.
Другие контрольные работы
bmt: 0.00436