Рекомендуемая категория для самостоятельной подготовки:
Решение задач*
| Код |
475795 |
| Дата создания |
2021 |
| Страниц |
3
|
Мы сможем обработать ваш заказ 27 марта в 12:00 [мск] Файлы будут доступны для скачивания только после обработки заказа.
|
Фрагмент работы для ознакомления
В p-n переходе, изготовленном на основе кремния при T = 300K, концентрация доноров N_Д=〖10〗^15 〖 см〗^(-3), с энергией активации ΔW_Д=0.04 эВ, концентрация акцепторов N_А=〖10〗^12 〖 см〗^(-3), с энергией активации ΔW_А=0.01 эВ.
Определить:
А) концентрации основных и неосновных носителей заряда в n и p полупроводниках;
Б) контактную разность потенциалов при отсутствии внешнего поля;
В) ширину p-n перехода (ε = 12);
Г) начертить энергетическую диаграмму p-n перехода.
Пожалуйста, внимательно изучайте содержание и фрагменты работы. Деньги за приобретённые готовые работы по причине несоответствия данной работы вашим требованиям или её уникальности не возвращаются.
* Категория работы носит оценочный характер в соответствии с качественными и количественными параметрами предоставляемого материала. Данный материал ни целиком, ни любая из его частей не является готовым научным трудом, выпускной квалификационной работой, научным докладом или иной работой, предусмотренной государственной системой научной аттестации или необходимой для прохождения промежуточной или итоговой аттестации. Данный материал представляет собой субъективный результат обработки, структурирования и форматирования собранной его автором информации и предназначен, прежде всего, для использования в качестве источника для самостоятельной подготовки работы указанной тематики.