Рекомендуемая категория для самостоятельной подготовки:
Реферат*
| Код |
428737 |
| Дата создания |
16:11 |
| Страниц |
12
|
Мы сможем обработать ваш заказ (!) 19 апреля в 12:00 [мск] Файлы будут доступны для скачивания только после обработки заказа.
|
Содержание
Введение……………………………………………………………………….3
1. Обзор по отечественным полевым транзисторам с барьером Шотки….4
2. Новые полевые транзисторы с барьером Шотки………………………...8
Заключение……………………………………………………………………11
Список литературы………………………………………………………...…12
Введение
Полевой транзистор - это полупроводниковый прибор, в котором ток через канал управляется электрическим полем, возникающим при приложении напряжения между затвором и истоком.
Канал - это область полупроводникового кристалла, в которой поток носителей заряда только одного знака (основных носителей) регулируется изменением её поперечного сечения напряжением управляющего электрода.
Фрагмент работы для ознакомления
Введение……………………………………………………………………….3
1. Обзор по отечественным полевым транзисторам с барьером Шотки….4
2. Новые полевые транзисторы с барьером Шотки………………………...8
Заключение……………………………………………………………………11
Список литературы………………………………………………………...…12
Список литературы
1. Дьяконов В.П., Максимчук А.А., Ремнев А.М., Смердов В.Ю. Энциклопедия устройств на полевых транзисторах/ Дьяконов В. П., Максимчук А.А, Ремнев А.М., Смердов В.Ю. - М.: СОЛОН-ПРЕСС.- 2010.512 с., ил.
2. Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принцип работы и технология изготовления [Текст]: под ред. Д.В. ди Лоренцо, Д.Д. Канделуола. - М.: Радио и связь, 1988. - 496 с.
3. Влияние сверхширокополосной помехи с высокой пиковой мощностью на функционирование малошумящих GaAs ПТШ [Текст] / А. М. Бобрешов [и др.] // Радиотехника. - 2013. - № 4. - С. 54-57 .
4. Современные приборы на основе арсенида галлия [Текст]/ Шур М.: под ред. М.Е. Левинштейна и В.Е. Челнокова. - М.: Мир, 1991.- 632 с.
5. Арсенид галлия в микроэлектронике [Текст]: под ред. Н. Айнепрука и У. Уиссмена.- М.: Мир, 1988. - 555 с.
6. Бочаров, Л.Н. Полевые транзисторы [Текст]: монография / Л.Н. Бочаров - М.: Энергия, 1976. -77 с.
7. Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2006. - № 4. - С. 36-39
Пожалуйста, внимательно изучайте содержание и фрагменты работы. Деньги за приобретённые готовые работы по причине несоответствия данной работы вашим требованиям или её уникальности не возвращаются.
* Категория работы носит оценочный характер в соответствии с качественными и количественными параметрами предоставляемого материала. Данный материал ни целиком, ни любая из его частей не является готовым научным трудом, выпускной квалификационной работой, научным докладом или иной работой, предусмотренной государственной системой научной аттестации или необходимой для прохождения промежуточной или итоговой аттестации. Данный материал представляет собой субъективный результат обработки, структурирования и форматирования собранной его автором информации и предназначен, прежде всего, для использования в качестве источника для самостоятельной подготовки работы указанной тематики.
bmt: 0.00414