Физические основы электроники

1.В собственном полупроводнике ширина запрещенной зоны ε_g=0,72 эВ. На сколько надо повысить температуру по сравнению с 300К, чтобы число электронов проводимости увеличилось в n = 2 раза?

2.Образец арсенида галлия, легированной донорской примесью с концентрацией Nd = 2•1015 см-3, подвергается действию некоторого внешнего возбуждения, в результате которого каждую секунду в 1 см3 генерируется G=1020 c-1 см-3 электронно-дырочных пар. Считается, что имеет место низкий уровень инжекции. Вычислить коэффициент рекомбинации γ, если время жизни электродов и дырок равны τ_n= τ_р=τ = 50 (нс), а также избыточную концентрацию носителей в стационарном режиме.

3.Подвижность электронов и дырок в образце полупроводника собственной проводимости составляют μn = 0,12 (м2/(В•с)) и μр =0,025 (м2/(В•с)), концентрация собственных носителей ni = 2,5•1016 м-3, площадь поперечного сечения образца S=0,03•10-4 м2. Определить скорость дрейфа электронов и дырок, электропроводность образца и полный дрейфовый ток, если в образце создано электрическое поле напряженностью Е=400 В/м.
4.Транзистор р-n-р включен по схеме с общим эмиттером и работает в активном режиме. Вычислить коэффициент усиления по постоянному току (β) и ток утечки (IКЭО), если заданы: ток утечки IКБО=0,1 мкА, ток коллектора Iк=1мА, ток базы IБ = 10 мкА

1.В собственном полупроводнике ширина запрещенной зоны ε_g=0,72 эВ. На сколько надо повысить температуру по сравнению с 300К, чтобы число электронов проводимости увеличилось в n = 2 раза?

2.Образец арсенида галлия, легированной донорской примесью с концентрацией Nd = 2•1015 см-3, подвергается действию некоторого внешнего возбуждения, в результате которого каждую секунду в 1 см3 генерируется G=1020 c-1 см-3 электронно-дырочных пар. Считается, что имеет место низкий уровень инжекции. Вычислить коэффициент рекомбинации γ, если время жизни электродов и дырок равны τ_n= τ_р=τ = 50 (нс), а также избыточную концентрацию носителей в стационарном режиме.

3.Подвижность электронов и дырок в образце полупроводника собственной проводимости составляют μn = 0,12 (м2/(В•с)) и μр =0,025 (м2/(В•с)), конц ентрация собственных носителей ni = 2,5•1016 м-3, площадь поперечного сечения образца S=0,03•10-4 м2. Определить скорость дрейфа электронов и дырок, электропроводность образца и полный дрейфовый ток, если в образце создано электрическое поле напряженностью Е=400 В/м.
4.Транзистор р-n-р включен по схеме с общим эмиттером и работает в активном режиме. Вычислить коэффициент усиления по постоянному току (β) и ток утечки (IКЭО), если заданы: ток утечки IКБО=0,1 мкА, ток коллектора Iк=1мА, ток базы IБ = 10 мкА

1.В собственном полупроводнике ширина запрещенной зоны ε_g=0,72 эВ. На сколько надо повысить температуру по сравнению с 300К, чтобы число электронов проводимости увеличилось в n = 2 раза?

2.Образец арсенида галлия, легированной донорской примесью с концентрацией Nd = 2•1015 см-3, подвергается действию некоторого внешнего возбуждения, в результате которого каждую секунду в 1 см3 генерируется G=1020 c-1 см-3 электронно-дырочных пар. Считается, что имеет место низкий уровень инжекции. Вычислить коэффициент рекомбинации γ, если время жизни электродов и дырок равны τ_n= τ_р=τ = 50 (нс), а также избыточную концентрацию носителей в стационарном режиме.

3.Подвижность электронов и дырок в образце полупроводника собственной проводимости составляют μn = 0,12 (м2/(В•с)) и μр =0,025 (м2/(В•с)), концентрация собственных носителей ni = 2,5•1016 м-3, площадь поперечного сечения образца S=0,03•10-4 м2. Определить скорость дрейфа электронов и дырок, электропроводность образца и полный дрейфовый ток, если в образце создано электрическое поле напряженностью Е=400 В/м.
4.Транзистор р-n-р включен по схеме с общим эмиттером и работает в активном режиме. Вычислить коэффициент усиления по постоянному току (β) и ток утечки (IКЭО), если заданы: ток утечки IКБО=0,1 мкА, ток коллектора Iк=1мА, ток базы IБ = 10 мкА