Рекомендуемая категория для самостоятельной подготовки:
Реферат*
| Код |
415127 |
| Дата создания |
13:27 |
| Страниц |
10
|
Мы сможем обработать ваш заказ (!) 20 декабря в 12:00 [мск] Файлы будут доступны для скачивания только после обработки заказа.
|
Содержание
Введение 3
1 Особенности лазерного излучения 4
2 Физические особенности взаимодействия лазерного излучения с поверхностью 5
3 Основы принципа действия лазера. Виды лазеров 6
4. Методы защиты от лазерного излучения 7
Заключение 9
Список литературы 10
Введение
Актуальность работы. О возможности создания приборов, использующих вынужденное излучение, известно уже более века; при этом последние более чем 50 лет такие приборы - лазеры - создаются и активно применяются. Несмотря на большой, с точки зрения скорости развития современной науки и техники, срок применения лазеров, им продолжают находить все новые применения, в том числе и при обработке образцов [1, 2]. Изменение свойств поверхности играет важнейшую роль в оптимизации возможностей применения образцов в различных сферах электроники и микроэлектроники. При этом известно, что уникальные процессы, происходящие при взаимодействии лазерного излучения и материала, могут привести к перманентным изменениям свойств материала, которые могут быть труднодостижимыми при использовании других, традиционны х методов модификации образцов. Было показано, что лазерное излучение может привести к изменениям в локальной химии, кристаллической структуре и морфологии; все эти параметры влияют на то, как материал ведет себя в различных условиях [3]
Фрагмент работы для ознакомления
Введение 3
1 Особенности лазерного излучения 4
2 Физические особенности взаимодействия лазерного излучения с поверхностью 5
3 Основы принципа действия лазера. Виды лазеров 6
4. Методы защиты от лазерного излучения 7
Заключение 9
Список литературы 10
Список литературы
1 Марисов М.А., Низамутдинов А.С., Семашко В.В. Современные инжекционные полупроводниковые лазеры. Лабораторные работы. - Казань: Институт Физики Казанского (Приволжского) федерального университета, 2014. - 65 с. 2.
2 Лазеры // Физика, б.г. [Электронный ресурс] URL: http:// www.physics.ru/courses/op25part2/content/chapter6/section/paragraph4/ theory.html#.WRCMwUXyjIW (дата обращения: 08.04.2018).
3 Brown M.S., Arnold C.B. Fundamentals of Laser-Material Interaction and Application to Multiscale Surface Modification // Laser Precision Microfabrication, Springer Series in Materials Science 135 / Ed. by al. K.S.E. Berlin: Springer-Verlag Berlin Heidelberg , 2010. p. 91 - 120.
4 Метлов П.О., Гордиевская А.В., Титов А.А. Защита от лазерного излучения и расчет класса опасности лазерного модуляоптико-электронного анализатора размеров микрочастиц // Наука, техника и образование - 2016. - № 11. - С. 33 - 37.
5 Носов Ю.Р. Оптоэлектроника. - 4-е изд. - М.: Радио и связь, 2018. - 360 с.
6 Пихтин А.Н. Оптическая и квантовая электроника. - М.: "Высшая школа", 2017. - 573 с.
7 Айрапетян В.С., Ушаков О.К. Физика лазеров. - Новосибирск: СГГА, 2012. - 134 с.
8 Светцов В.И. Оптическая и квантовая электроника. - Иваново: Иван. гос. хим.-техн. ун-т, 2014. - 122 с.
9 Парфенов В.А. Лазерная микрообработка материалов. - СПб.: СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2017. - 59 с
Пожалуйста, внимательно изучайте содержание и фрагменты работы. Деньги за приобретённые готовые работы по причине несоответствия данной работы вашим требованиям или её уникальности не возвращаются.
* Категория работы носит оценочный характер в соответствии с качественными и количественными параметрами предоставляемого материала. Данный материал ни целиком, ни любая из его частей не является готовым научным трудом, выпускной квалификационной работой, научным докладом или иной работой, предусмотренной государственной системой научной аттестации или необходимой для прохождения промежуточной или итоговой аттестации. Данный материал представляет собой субъективный результат обработки, структурирования и форматирования собранной его автором информации и предназначен, прежде всего, для использования в качестве источника для самостоятельной подготовки работы указанной тематики.
bmt: 0.00442