«Разработка функциональных устройств на программируемых логических структурах»

Содержание

ВВЕДЕНИЕ
1 ОБЗОР ЛИТЕРАТУРНЫХ ИСТОЧНИКОВ. АНАЛИЗ ВОЗМОЖНОСТЕЙ ПРОГРАММИРУЕМЫХ ЛОГИЧЕСКИХ СТРУКТУР
1.1 Специализированные интегральные схемы
1.2 Классификация СПИС
1.3 Программируемые логические интегральные схемы
1.4 Классификация ПЛИС
1.5 Характеристики ПЛИС мировых производителей
1.5.1 Altera Corporation
1.5.2 Xilinx Inc
1.5.3 Actel Corporation
1.6 Основные выводы
2 РАЗРАБОТКА ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ НА ПРОГРАММИРУЕМЫХ ЛОГИЧЕСКИХ СТРУКТУРАХ
2.1 Применение шумоподобных сигналов
2.2 Разработка функциональных устройств
2.2.1 Использование САПР «МАХ plus II» для разработки цифровых устройств на ПЛИС
2.2.2 Разработка генератора полной системы функций Уолша
2.2.3 Разработка дискретного формирователя интервальной манипуляции сигналов
3. ПРОЕКТИРОВАНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СБИС
3.1 Основы технологии производства n-МОП СБИС
3.2 Этапы технологического процесса.
3.3 СБИС программируемой логики (ПЛ.)
3.4 Микропроцессоры
3.5 Матричные микропроцессоры и автоматизация проектирования цифровых СБИС на базе матриц Вайнбергера и транзисторных матриц
3.6 Автоматизация проектирования цифровых СБИС на базе матриц Вайнбергера и транзисторных матриц
3.7 Автоматизированное проектирование СБИС на базовых матричных кристаллах, стандартные и полузаказные ИС, базовые кристаллы типовые
4. ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЕ ОБОСНОВАНИЕ ПРОЕКТА
4.1 Сетевой график выполнения проекта
4.2 Экономическое обоснование принимаемых технических решений
5 ПРОИЗВОДСТВЕННО-ЭКОЛОГИЧЕСКАЯ БЕЗОПАСНОСТЬ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

«Разработка функциональных устройств на программируемых логических структурах»

В 60-х годах наибольшее распространение получили ИС на основе биполярных транзисторов. Начиная с 1975 г. на рынке превалируют цифровые ИС на основе МОП-структур. Преимущества ИС на основе МОП-структур:Миниатюризация. Низкое потребление мощности. Высокий процент выхода. Высокое быстродействие. Высокий уровень технологичности.В технологии СБИС степень интеграции превышает 215 элементов на кристалл. Уровень миниатюризации, который был использован при производстве процессора Intel Pentium в 1993 году, составлял 0,8 мкм, сейчас используются транзисторы с длиной канала 0,18 мкм, а в перспективе - разработка устройств с длиной канала в 0,13 мкм, что в плотную приближается к пределу физических ограничений на работу такого рода транзисторов.Технология создания и получения сверхбольших интегральныхсхем с минимальными размерами в глубокой субмикронной области (0,25- 0,5 мкм к 2000 году) и наноэлектроника (полупроводниковые приборы с размерами рабочих областей до 100 нм к 2010 году) включают следующие основных направления: технологию сверхбольших кремниевых схем с минимальными размерами в глубокой субмикронной области; технологию сверхскоростных гетеропереходных приборов и интегральных схем на основе арсенида галлия, германия на кремнии и других соединений; технологию получения наноразмерных приборов, включая нанолитографию. При реализации этих направлений предусматривается создание сверхчистых монокристаллических полупроводниковых материалов и технологических реагентов, включая газы и жидкости; обеспечение сверх чистых производственных условий (по классу 0,1 и выше) в зонах обработки и транспорта пластин; разработка технологических операций и создание комплекса оборудования на новых физических принципах, в том числе кластерного типа, с автоматизированным контролем процессов, обеспечивающим заданную прецизионность обработки и низкий уровень загрязнения, а также высокую производительность процессов и воспроизводимость результатов, качество и надежность электронных элементов.Технология сверхбольших интегральных схем обеспечивает разработку и промышленное освоение выпуска широкой номенклатуры интегральных схем, составляющих элементную базу высокопроизводительных ЭВМ, специализированной и бытовой радиоэлектронной аппаратуры, средств связи и телекоммуникаций, в том числе космического базирования. При данной технологии возможные минимальные рабочие размеры составляют 0,1-0,5 мкм и менее (до 70 нм к 2010 году), достигаются высокая производительность за счет использования пластин большого диаметра (200 и более мм) и полной автоматизации процессов, значительный процент выхода годных электронных приборов и высокая окупаемость вкладываемых в производство средств.Кремниевая технология является основой создания элементной базы радиоэлектроники, вычислительной техники и средств автоматизации и связи широкого применения. Технология гетеропереходных интегральных схем благодаря высокому быстродействию этих приборов ориентирована на специализированные сверхскоростные применения, включая космическую технику, элементную базу суперкомпьютеров, технику связи и телекоммуникаций, а также специальную аппаратуру оборонного назначения.