Вход

Транзисторный усилительный каскад

Рекомендуемая категория для самостоятельной подготовки:
Курсовая работа*
Код 360031
Дата создания 08 апреля 2013
Страниц 29
Мы сможем обработать ваш заказ (!) 25 апреля в 14:00 [мск]
Файлы будут доступны для скачивания только после обработки заказа.
1 310руб.
КУПИТЬ

Содержание

Оглавление
ВВЕДЕНИЕ
1.ТРЕБОВАНИЯ К ПРОЕКТИРОВАНИЮ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА
2.ВЫБОР УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА ПО ПОСТОЯННОМУ ТОКУ
2.1Входные и выходные характерстики транзистора
2.2 Нагрузочная прямая по постоянному току
2.3. Стабилизация рабочей точки усилительного каскада по схеме с общим эмиттером
3.АНАЛИЗ РАБОТЫ УСИЛИТЕЛЯ ПО ПЕРЕМЕННОМУ ТОКУ
3.1. Анализ работы усилителя в области средних частот
3.2 Анализ усилительного каскада в области нижних частот
3.3. Анализ усилительного каскада в области верхних частот
4.ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Введение

Транзисторный усилительный каскад

Фрагмент работы для ознакомления

Реже используются схемы включения с общим коллектором и общим стоком. Схемы включения с общей базой или общим затвором находят применение только в узком классе устройств. Транзисторы выбираются преимущественно по их назначению, указанному в справочнике. Набор параметров соответствует этому применению и обеспечивает детальный расчет схем указанного классаЗаключениеВ заключение отметим некоторые перспективы развития твердотельных электронных приборов, а также проблемы, которые предстоит решить для успешного развития полупроводниковой электроники. Одной из важнейших задач полупроводниковой электроники является увеличение быстродействия полупроводниковых приборов. Максимальная частота генерации биполярных транзисторов достигла 10 ГГц. Значение этого параметра уже близко к теоретическому пределу, который определяется временем установки электрической нейтральности различных частей полупроводниковой структуры, а также конечным значением скоростей движения носителей заряда. Необходимо учитывать и постоянные времени перезаряда барьерных емкостей p-n-переходов.

Список литературы

Список литературы

1.В. А. Пасынков. Полупроводниковые приборы / В. В. Пасынков,
Л. К. Чиркин. – СПб. : Лань, 2002. – 480 с.
2.Павлов В. Н. Схемотехника аналоговых электронных устройств: учеб. пособие для студ. вузов / В.Н. Павлов. — М.: Издательский
центр «Академия», 2008. — 288 с.
3.Гусев В.Г. Электроника и микропроцессорная техника: учебник
для вузов. — В.Г. Гусев, Ю.М. Гусев. — 5-е изд., стер. — М.: Высш.
шк., 2008. — 798 с.
4.ГОСТ 20003 — 74. Транзисторы биполярные. Термины, определения
и буквенные обозначения параметров. — М.: Издательство стан-
дартов, 1983. — 28 с.
5.ГОСТ 28884 — 90. Ряды предпочтительных значений для резисторов
6.Андреев В.С. Теория нелинейных электрических цепей / В.С. Андреев. — М.: Связь, 1972. — 328 с.
7. ГОСТ 2.710 — 81. ЕСКД. Обозначения буквенно-цифровые в электрических схемах. — М.: Издательство стандартов, 1987. — 17 с.
8.Электрические конденсаторы и конденсаторные установки: Справочник / В.П. Берзан, Б.Ю. Геликман, М.Н. Гураевский и др.; Под ред. Г.С. Кунинского, — М.: Энергоатомиздат, 1987. — 656 с.

Очень похожие работы
Пожалуйста, внимательно изучайте содержание и фрагменты работы. Деньги за приобретённые готовые работы по причине несоответствия данной работы вашим требованиям или её уникальности не возвращаются.
* Категория работы носит оценочный характер в соответствии с качественными и количественными параметрами предоставляемого материала. Данный материал ни целиком, ни любая из его частей не является готовым научным трудом, выпускной квалификационной работой, научным докладом или иной работой, предусмотренной государственной системой научной аттестации или необходимой для прохождения промежуточной или итоговой аттестации. Данный материал представляет собой субъективный результат обработки, структурирования и форматирования собранной его автором информации и предназначен, прежде всего, для использования в качестве источника для самостоятельной подготовки работы указанной тематики.
bmt: 0.00459
© Рефератбанк, 2002 - 2024