Вход

Физические основы электроники, 6 задач

Рекомендуемая категория для самостоятельной подготовки:
Контрольная работа*
Код 359090
Дата создания 2020
Страниц 10 ( 14 шрифт, полуторный интервал )
Файлы
DOCX
Физические основы электроники.docx[Word, 114 кб]
Без ожидания: файлы доступны для скачивания сразу после оплаты.
Ручная проверка: файлы открываются и полностью соответствуют описанию.
390руб.
КУПИТЬ

Образцы страниц
развернуть (12)

Физические основы электроники, 6 задач Образец 85095
Физические основы электроники, 6 задач Образец 85096
Физические основы электроники, 6 задач Образец 85097
Физические основы электроники, 6 задач Образец 85098
Физические основы электроники, 6 задач Образец 85099
Физические основы электроники, 6 задач Образец 85100
Физические основы электроники, 6 задач Образец 85101
Физические основы электроники, 6 задач Образец 85102
Физические основы электроники, 6 задач Образец 85103
Физические основы электроники, 6 задач Образец 85104
Физические основы электроники, 6 задач Образец 85105
Физические основы электроники, 6 задач Образец 85106

Фрагмент работы для ознакомления

Задача 1

Определить, как и во сколько раз изменится вероятность заполнения электронами в металле энергетического уровня, расположенного на 0,1 эВ выше уровня Ферми, если температуру металла повысить от 300 до 1000К.

Решение

...

Задача 2

Вычислить собственную концентрацию носителей заряда в арсениде индия при 300К, если ширина его запрещенной зоны 0,33 эВ, а эффективные массы плотности состояний mc = 0,023m0, mv=0,43m0. Определить удельное сопротивление материала, если Мn=33000 см2/В*с, Мр = 460 см2/В*с.

Решение

...

Задача 3

Обратный ток насыщения полупроводникового диода Is=1 мкА, при t1=27oC и Is= 10мкА при t2=65оС. Постройте вольтамперную характеристику этого диода при температурах 27 и 65оС, если напряжение изменяется от -2 до 0,5 В. Определите коэффициент выпрямления для диода для каждой температуры при +/- 0,5В.

Решение

...

Задача 4

Определить ЭДС Холла, возникающую в пластине германия толщиной 0,5 ммс собственной электропроводимостью при температуре Т=300 К, если вдоль пластины проходит электрический ток I=10 мА. Вектор магнитной индукции (В=0,6 Тл) перпендикулярен плоскости пластины. Собственная концентрация носителей заряда равна 2,2*1019м -3.

Решение

...

Задача 5

Изобразите пространственное распределение зарядов и энергетические диаграммы контакта металл-полупроводник n-типа, Ам больше Аn для следующих случаев: а) внешнее напряжение отсутствует; б) подано прямое смещение; в) подано обратное смещение. При построениях на горизонтальной оси откладывать расстояние х.

Решение

...

Задача 6

От какого параметра полупроводникового материала зависит высота потенциального барьера p-n-перехода при одинаковой концентрации примесей в n- и p- областях.

В каком из полупроводниковых материалов – арсениде галлия или фосфиде галлия – больше контактная разность потенциалов.

Ответ

...

Очень похожие работы
Пожалуйста, внимательно изучайте содержание и фрагменты работы. Деньги за приобретённые готовые работы по причине несоответствия данной работы вашим требованиям или её уникальности не возвращаются.
* Категория работы носит оценочный характер в соответствии с качественными и количественными параметрами предоставляемого материала. Данный материал ни целиком, ни любая из его частей не является готовым научным трудом, выпускной квалификационной работой, научным докладом или иной работой, предусмотренной государственной системой научной аттестации или необходимой для прохождения промежуточной или итоговой аттестации. Данный материал представляет собой субъективный результат обработки, структурирования и форматирования собранной его автором информации и предназначен, прежде всего, для использования в качестве источника для самостоятельной подготовки работы указанной тематики.
bmt: 0.01689
© Рефератбанк, 2002 - 2024