Три курсовые ТРАНЗИСТОРЫ

Курсовые сделаны в Ворде 2007 ...

2. Задание на курсовую работу
Тип биполярного транзистора, напряжения питания EП усилительного каскада
и сопротивление нагрузки RН для каждого варианта приведены в таблице:

2.1 Исходные данные
Дан биполярный транзистор КТ340В, включенный по схеме с общим эмиттером. Выходная цепь транзистора нагружена резистор R_н=0,15∙〖10〗^3 Ом и питается от источника ЭДС E_п=6В. Построим нагрузочную линию, выберем рабочую точку и определим основные параметры и характеристики транзистора.

На входной ВАХ задаёмся приращением базового тока относительно рабочей точки (рисунок 2.5):∆Iб=±1 мА=2 мА. (2.8)Приращению базового тока соответствует приращение напряжения база-эмиттер, равное:∆Uбэ=40мВ. (2.9)Рисунок 2.5Параметр h11Э, определяющий входное сопротивление транзистора при коротком замыкании на выходе для переменной составляющей тока, равен:h11э=∆Uбэ∆Iб=40 мВ2 мА=20 Ом. (2.10)На выходной ВАХ транзистора также задаёмся приращением тока базы (рисунок 2.6):∆Iб=±1мА=2мА. (2.11)Рисунок 2.6Соответствующее приращение тока коллектора равно:∆Iк=0,175 А. (2.12)Тогда параметр h21Э, т.е. коэффициент передачи транзистора по току при коротком замыкании на выходе для переменной составляющей тока, равен:h21э=∆Iк∆Iб=0,175 А2 мА=87,5. (2.13)Для определения следующего h-параметра задаёмся приращением напряжения коллектор-эмиттер на выходной ВАХ транзистора (рисунок 2.7):∆Uкэ=±5 В=10 В. (2.14)Рисунок 2.7Соответствующее приращение тока коллектора составляет:∆Iк=0,04 А. (2.15)Выходная проводимость транзистора при разомкнутом входе для переменной составляющей тока (холостой ход входной цепи) – параметр h22Э равен:h22э=∆Iк∆Uкэ=0,04 А10 В=4мСм. (2.16)Последний h-параметр – коэффициент обратной связи по напряжению при разомкнутом входе для переменной составляющей тока определяется по формуле пересчета:h12э=12,5h22эIэ0, (2.17)где Iэ0 – значение тока эмиттера.Так как ток эмиттера равен:Iэ0=Iк0-Iб0=0,2 А-0,003 А=0,197 А, (2.18)то параметр h12э имеет значение:h12э=12,5∙4∙10-30,197=0,253. (2.19)2.5 Расчёт величин элементов эквивалентной схемыФизическая малосигнальная эквивалентная схема биполярного транзистора (схема Джиаколетто) представлена на рисунке 2.8. Рассчитаем величины входящих в неё элементов.Рисунок 2.8Значения конденсаторов Ск и Сэ равны ёмкостям коллекторного и эмиттерного переходов и находятся по справочнику:Ск=12 пФ; (2.20)Сэ=12 пФ; (2.21)Для расчёта сопротивлений резисторов необходимо определить сопротивление эмиттерного перехода эмиттерному току и крутизну вольт-амперной характеристики транзистора:rЭ=25мВIэ0=25мВ0,197 А=0,13 Ом; (2.22)S=h21эh11э=87,520 Ом=4,375АВ. (2.23)Сопротивление эмиттерного перехода базовому току рассчитываем по формуле:rБЭ=rЭ∙h21э=0,13 Ом∙87,5=11,1 Ом. (2.24)Выходное сопротивление транзистора равно:rКЭ=1h22э-h21э ∙10-6∙ S=14 мСм-87,5 ∙10-6∙ 4,375АВ=276,5 Ом. (2.