Вход

Физика

Рекомендуемая категория для самостоятельной подготовки:
Контрольная работа*
Код 357080
Дата создания 09 июня 2013
Страниц 10
Мы сможем обработать ваш заказ (!) 12 апреля в 16:00 [мск]
Файлы будут доступны для скачивания только после обработки заказа.
850руб.
КУПИТЬ

Описание

1. Методы наблюдения интерференции света.
2. Законы внешнего фотоэффекта. Уравнение Эйнштейна для внешнего фотоэффекта.
3. Контакт электронного и дырочного полупроводников.
4. Луч света падает под углом 60 на стеклянную пластинку толщиной 30 мм. Определить боковое смещение луча после выхода из пластинки. Показатель преломления стекла 1,5.
5. На плоскую отражательную решетку нормально падает свет длиной волны  = 589 нм. Определить число штрихов решетки на 1 мм, если спектр второго порядка наблюдается под углом дифракции  = 45 к нормали.
6. Поверхность Солнца близка по своим свойствам к абсолютно черному телу. Максимум испускательной способности приходится на длину волны мкм (к сведению, в излучении Солнца, прошедшем через атмосферу и достигшем поверхности Земли, максимум приходится м ...

Содержание

1. Методы наблюдения интерференции света.
2. Законы внешнего фотоэффекта. Уравнение Эйнштейна для внешнего фотоэффекта.
3. Контакт электронного и дырочного полупроводников.
4. Луч света падает под углом 60 на стеклянную пластинку толщиной 30 мм. Определить боковое смещение луча после выхода из пластинки. Показатель преломления стекла 1,5.
5. На плоскую отражательную решетку нормально падает свет длиной волны  = 589 нм. Определить число штрихов решетки на 1 мм, если спектр второго порядка наблюдается под углом дифракции  = 45 к нормали.
6. Поверхность Солнца близка по своим свойствам к абсолютно черному телу. Максимум испускательной способности приходится на длину волны мкм (к сведению, в излучении Солнца, прошедшем через атмосферу и достигшем поверхности Земли, максимум приходится мкм). Определить температуру солнечной поверхности и энергию W, излучаемую Солнцем за  = 1 св виде электромагнитных волн. Радиус Солнца м.
7. Найдите длину волны де Бройля для протона, прошедшего ускоряющую разность потенциалов: 1) 1 кВ, 2) 1 МВ.
8. В результате нагревания абсолютно черного тела длина волны, на которую приходится максимум спектральной плотности энергетической светимости, сместилась с мкм до мкм. Определить, во сколько раз увеличилась: 1) энергетическая светимость тела; 2) максимальная спектральная плотность энергетической светимости тела.
9. Начальная активность 1 г изотопа радия равна 1 Ки. Определить период полураспада этого изотопа.
10. Найти дефект массы, энергию связи и удельную энергию связи ядра атома кислорода

Введение

1. Методы наблюдения интерференции света.
2. Законы внешнего фотоэффекта. Уравнение Эйнштейна для внешнего фотоэффекта.
3. Контакт электронного и дырочного полупроводников.
4. Луч света падает под углом 60 на стеклянную пластинку толщиной 30 мм. Определить боковое смещение луча после выхода из пластинки. Показатель преломления стекла 1,5.
5. На плоскую отражательную решетку нормально падает свет длиной волны  = 589 нм. Определить число штрихов решетки на 1 мм, если спектр второго порядка наблюдается под углом дифракции  = 45 к нормали.
6. Поверхность Солнца близка по своим свойствам к абсолютно черному телу. Максимум испускательной способности приходится на длину волны мкм (к сведению, в излучении Солнца, прошедшем через атмосферу и достигшем поверхности Земли, максимум приходится м км). Определить температуру солнечной поверхности и энергию W, излучаемую Солнцем за  = 1 св виде электромагнитных волн. Радиус Солнца м.
7. Найдите длину волны де Бройля для протона, прошедшего ускоряющую разность потенциалов: 1) 1 кВ, 2) 1 МВ.
8. В результате нагревания абсолютно черного тела длина волны, на которую приходится максимум спектральной плотности энергетической светимости, сместилась с мкм до мкм. Определить, во сколько раз увеличилась: 1) энергетическая светимость тела; 2) максимальная спектральная плотность энергетической светимости тела.
9. Начальная активность 1 г изотопа радия равна 1 Ки. Определить период полураспада этого изотопа.
10. Найти дефект массы, энергию связи и удельную энергию связи ядра атома кислорода

Фрагмент работы для ознакомления

Согласно этой теории, электрон получает сразу целиком всю энергию фотона, которая расходуется на совершение работы выхода электрона из вещества (катода) и на сообщение электрону кинетической энергии:h*c/λ=ε+A, где ε – максимальная кинетическая энергия электронов, A – работа выхода.Это уравнение называется уравнением Эйнштейна для внешнего фотоэффекта.Электроны, вылетающие из вещества при внешнем фотоэффекте, называются фотоэлектронами, а электрический ток, образуемый ими при упорядоченном движении во внешнем электрическом поле, называется фототоком.Контакт электронного и дырочного полупроводников.Граница соприкосновения двух полупроводников, один из которых имеет электронную, а другой — дырочную проводимость, т.е. область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости (от электронной n к дырочной p), называется электронно-дырочным переходом (или p-n-переходом). Эти переходы имеют большое практическое значение, являясь основой работы многих полупроводниковых приборов. p-n-переход нельзя осуществить просто механическим соединением двух полупроводников, так как в месте их соприкосновения не исключено наличие жировых пятен, пыли, чрезвычайно трудноудаляемой воздушной прослойки и прочего. А вместо этого электронно-дырочные переходы создают по специальным технологиям: диффузии, сплавления, эпитаксии, ионного легирования и ионной имплантации и многим другим. Суть диффузии состоит в проникновении атомов паров примесей ввиду теплового движения на поверхность и внутрь кристаллов полупроводников, нагретых примерно до 950 °C … 1200 °C, причём концентрация примесей наиболее высока на поверхности, а наиболее низка в глубине кристаллов. Сплавление заключено в наложении таблетки легирующего вещества на кристалл полупроводника и разогревании их до такой температуры, при которой наступит взаимное сплавление легирующего материала и полупроводника. Образованный таким образом электронно-дырочный переход называют резким, т.е. таким, при котором участок перехода концентраций примесей соизмерим с диффузионной длиной. Эпитаксия – это выращивание плёнки одного полупроводника на кристалле другого полупроводника. Кристалл полупроводника, на который осуществляют наращивание, называют подложкой. Подложку выполняют из полупроводника с кристаллической решёткой, похожей на кристаллическую решётку наращиваемого полупроводника. Процесс ионного легирования заключён во внедрении в кристалл полупроводника ионов примеси, которые были в вакууме разогнаны до определённой скорости и направлены на поверхность полупроводника. Обычно области различной проводимости создают либо при выращивании кристаллов, либо при соответствующей обработке кристаллов. Например, на кристалл германия n-типа накладывается индиевая «таблетка», эта система нагревается примерно при 500°С в вакууме или в атмосфере инертного газа; атомы индия диффундируют на некоторую глубину в германий. Затем расплав медленно охлаждают. Так как германий, содержащий индий, обладает дырочной проводимостью, то на границе закристаллизовавшегося расплава и германия n-типа образуется p-n-переход. Толщина электронно-дырочного перехода обычно достигает от 100 нм до 1 мкм.В процессе контакта между этими областями из области с полупроводником n-типа в область с полупроводником p-типа проходят электроны, которые затем рекомбинируют с дырками. Вследствие этого возникает электрическое поле между двумя областями, что устанавливает предел деления полупроводников — так называемый p-n переход. В результате в области с полупроводником p-типа возникает некомпенсированный заряд из отрицательных ионов, а в области с полупроводником n-типа возникает некомпенсированный заряд из положительных ионов. Разница между потенциалами достигает 0,3-0,6 В.В процессе подачи напряжения плюсом на p-полупроводник и минусом на n-полупроводник внешнее электрическое поле будет направлено против внутреннего электрического поля p-n перехода и при достаточном напряжении электроны преодолеют p-n переход, и в цепи диода появится электрический ток (прямая проводимость). При подаче напряжения минусом на область с полупроводником p-типа и плюсом на область с полупроводником n-типа между двумя областями возникает область, которая не имеет свободных носителей электрического тока (обратная проводимость). Обратный ток полупроводникового диода не равен нулю, так как в обеих областях всегда есть неосновные носители заряда. Для этих носителей p-n переход будет открыт.Таким образом, p-n переход проявляет свойства односторонней проводимости, что обуславливается подачей напряжения с различной полярностью. Это свойство используют для выпрямления переменного тока. При изменении знака напряжения ток через переход может меняться в 105—106 раз. Благодаря этому p-n переход является вентильным устройством, пригодным для выпрямления переменных токов Зависимость сопротивления p-n переход от U позволяет использовать его. в качестве регулируемого сопротивления (варистора).Транзистор — полупроводниковое устройство, которое состоит из двух областей с полупроводниками p- или n-типа, между которыми находится область с полупроводником n- или p-типа. Таким образом, в транзисторе есть две области p-n перехода.4. Луч света падает под углом 60 на стеклянную пластинку толщиной 30 мм. Определить боковое смещение луча после выхода из пластинки. Показатель преломления стекла 1,5.№ 4 Дано:α=60градусовh=30ммn=1,5l?Решение.Если бы луч не преломлялся, его смещение при выходе из пластинки х=h*tgα.

Список литературы

-
Очень похожие работы
Пожалуйста, внимательно изучайте содержание и фрагменты работы. Деньги за приобретённые готовые работы по причине несоответствия данной работы вашим требованиям или её уникальности не возвращаются.
* Категория работы носит оценочный характер в соответствии с качественными и количественными параметрами предоставляемого материала. Данный материал ни целиком, ни любая из его частей не является готовым научным трудом, выпускной квалификационной работой, научным докладом или иной работой, предусмотренной государственной системой научной аттестации или необходимой для прохождения промежуточной или итоговой аттестации. Данный материал представляет собой субъективный результат обработки, структурирования и форматирования собранной его автором информации и предназначен, прежде всего, для использования в качестве источника для самостоятельной подготовки работы указанной тематики.
bmt: 0.00482
© Рефератбанк, 2002 - 2024