Вход

Арсенид-галлиевые диоды.Особенности этих диодов.Параметры диодов и их применение.

Рекомендуемая категория для самостоятельной подготовки:
Реферат*
Код 337620
Дата создания 07 июля 2013
Страниц 24
Мы сможем обработать ваш заказ 23 мая в 12:00 [мск]
Файлы будут доступны для скачивания только после обработки заказа.
610руб.
КУПИТЬ

Содержание

РЕФЕРАТ







Арсенид-галлиевые диоды

















2007 г

Содержание

Введение
1. Полупроводниковые диоды и их применение в электронной технике
2. Арсенид-галлиевые диоды и их применение
3. Сравнительные характеристики различных диодов
4. Концепция развития технологии цифровых исполнительных систем на GaAs
5. Основные технологические характеристики диодов на арсениде галлия
6. Требования к исходным полупроводниковым материалам
7. Требования к технологии обработки поверхности
Заключение
Список литературы

Введение

Арсенид-галлиевые диоды.Особенности этих диодов.Параметры диодов и их применение.

Фрагмент работы для ознакомления

а) по назначению (выпрямительные, детекторные, преобразовательные, стабилитроны, варикапы и др.);
б) по частотным свойствам (низкочастотные, высокочастотные, СВЧ);
в) по типу перехода (плоскостные, точечные);
г) по исходному материалу (германиевые, кремниевые, арсенид-галлиевые и т.д.);
Кроме того, существует разделение полупроводниковых диодов внутри одной группы в соответствии с электрическими параметрами.
Кроме специфических параметров, характеризующих данную типовую группу, существуют параметры общие для всех полупроводниковых диодов независимо от их специального назначения. К ним относятся: рабочий интервал температур, допустимое обратное напряжение, допустимый выпрямленный ток, допустимая мощность рассеивания.

Список литературы

Список литературы

1. Андрушко Л.М., Федоров Н.Д. Электронные и квантовые приборы СВЧ. М.: Радио и связь, 1981 г.
2. Федоров Н.Д. Электронные приборы. М.: Атомиздат, 1979 г.
3. Лебедев И.В. Техника и приборы сверхвысоких частот. М.: Высшая школа, 1972 г.
4. Андреев И.С., Арипов Х.К., Кузьмина Г.Н. Электронные и квантовые прибо-ры, часть 1, Ташкент, ТЭИС, 1998 г.
5. Бобровский Ю.Л., Корнилов С.А., Кратиров И.А., Овчинников К.Д., Пышки-на Н.И., Федоров Н.Д. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника.: Учебное пособие для вузов / Под ред. проф. Н.Д. Федорова - М.: Радио и связь, 1998 г.
6. Батушев В.А. Электронные приборы: Учебник для вузов. - М.: Высш. школа, 1980 г.
7. Овечкин Ю.А. Полупроводниковые приборы. - М.: Высш. школа, 1979 г.
8. Дулин В.Н. Электронные приборы. - М.:Энергия, 1977 г.
Пожалуйста, внимательно изучайте содержание и фрагменты работы. Деньги за приобретённые готовые работы по причине несоответствия данной работы вашим требованиям или её уникальности не возвращаются.
* Категория работы носит оценочный характер в соответствии с качественными и количественными параметрами предоставляемого материала. Данный материал ни целиком, ни любая из его частей не является готовым научным трудом, выпускной квалификационной работой, научным докладом или иной работой, предусмотренной государственной системой научной аттестации или необходимой для прохождения промежуточной или итоговой аттестации. Данный материал представляет собой субъективный результат обработки, структурирования и форматирования собранной его автором информации и предназначен, прежде всего, для использования в качестве источника для самостоятельной подготовки работы указанной тематики.
© Рефератбанк, 2002 - 2022