Рекомендуемая категория для самостоятельной подготовки:
Курсовая работа*
| Код |
321978 |
| Дата создания |
08 июля 2013 |
| Страниц |
25
|
Мы сможем обработать ваш заказ (!) 23 апреля в 16:00 [мск] Файлы будут доступны для скачивания только после обработки заказа.
|
Содержание
Содержание
Задание на курсовую работу
Введение
Выбор принципиальной схемы выходного каскада и описание ее работы
Выбор выходных транзисторов
Определение режима работы выходных транзисторов по постоянному току и построение линии нагрузки
Выбор предвыходных транзисторов
Определение режимов работы предвыходных транзисторов по постоянному току и построение линии нагрузки
Определение основных параметров выходного каскада
Расчет элементов межкаскадной связи
Заключение
Список литературы
Введение
Расчет выходного каскада усилителя
Фрагмент работы для ознакомления
RТ п-к, °C/Вт
h21Э
UКЭ, В
IЭ, А
UКЭ нас, В
IКБ0, А
fгр, МГц
Кш, дБ
CК, пФ
CЭ, пФ
tвкл, мкс
tвыкл, мкс
КТ817 Б
25
2
1
0,6
0,1
3
60
115
5
Рис.2. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер от тока коллектора
Рис.3. Области максимальных режимов
Рис.4. Входная характеристика
Рис.5. Зависимость статистического коэффициента передачи тока от тока эмиттера
Рис.6. Выходная характеристика
Определение режима работы выходных транзисторов по постоянному току и построение линии нагрузки
Рассчитаем ток покоя коллектора для транзисторов VT3 и VT4 по формуле:
- значение обратного тока коллектора при максимальной температуре
Ток покоя должен удовлетворять условию:
Условие выполнено, так как
Строим нагрузочные прямые
Рис.7. Нагрузочная прямая
Найдем ток покоя базы, максимальный ток базы и амплитудное значение тока базы:
Определяем параметры входного сигнала транзисторов
Рис.8. Определение параметров входного сигнала
Рассчитываем сопротивление безэмиттерного перехода:
Номиналы резисторов
Выбираем номинал резисторов 25 Ом.
Выбор предвыходных транзисторов
Ток покоя эмиттера транзисторов VT1 и VT2 равен:
Амплитудное значение тока эмиттера транзисторов VT1 и VT2 равно:
Выбираем транзиторы с учетом условий:
Таблица 4. Выбор входных транзисторов КТ502 Б
Предельные параметры
при T = 25°C
IК max, мА
IК и max, мА
UКЭ0 гр, В
UКБ0 max, В
UЭБ0 max, В
PК max, мВт
T, °C
Tп max, °C
Tmax, °C
150
350
25
40
5
350
25
125
85
Условия выполнены.
Таблица 5. Параметры транзистора КТ502 Б
Параметры при T = 25°C
RТ п-с, °C/Вт
h21Э
UКЭ, В
IЭ, мА
UКЭ нас, В
IКБ0, мкА
fгр, МГц
Кш, дБ
CК, пФ
CЭ, пФ
tрас, мкс
80...240
5
10
0,6
Список литературы
"Список литературы
1. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника и микропроцессорная техника: учеб. для вузов — 3-е изд., перераб. и доп. — М. : Высш. гих., 2004. — 790 с.
2. Дорошков АВ. Расчет бестрансформаторного усилителя низкой частоты: Метод, указания к выполнению курсовой работы по курсу «Электротехника и элекроника» для студентов спец. 210200 и специализации 210206 всех форм обучения. — СП6.: СП6ГУНиПТ, 2003—51 с.
3. Дорошков А.В. Теория и компьютерное моделирование устройств электроники; Учеб. пособие. — 0116.: СП6ГУНиГГ, 2006. — 131 с.
"
Пожалуйста, внимательно изучайте содержание и фрагменты работы. Деньги за приобретённые готовые работы по причине несоответствия данной работы вашим требованиям или её уникальности не возвращаются.
* Категория работы носит оценочный характер в соответствии с качественными и количественными параметрами предоставляемого материала. Данный материал ни целиком, ни любая из его частей не является готовым научным трудом, выпускной квалификационной работой, научным докладом или иной работой, предусмотренной государственной системой научной аттестации или необходимой для прохождения промежуточной или итоговой аттестации. Данный материал представляет собой субъективный результат обработки, структурирования и форматирования собранной его автором информации и предназначен, прежде всего, для использования в качестве источника для самостоятельной подготовки работы указанной тематики.
bmt: 0.0043