Вход

Излучающие полупроводниковые приборы; Базовый элемент 2И-НЕ на МДП транзисторах; Усилительный каскад на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа.

Рекомендуемая категория для самостоятельной подготовки:
Контрольная работа*
Код 298727
Дата создания 2014
Страниц 12 ( 14 шрифт, полуторный интервал )
Изображений 7
Файлы
DOCX
Полупроводниковые приборы.docx[Word, 212 кб]
Без ожидания: файлы доступны для скачивания сразу после оплаты.
Ручная проверка: файлы открываются и полностью соответствуют описанию.
390руб.
КУПИТЬ

Образцы страниц
развернуть (12)

Излучающие полупроводниковые приборы; Базовый элемент 2И-НЕ на МДП транзисторах; Усилительный каскад на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Образец 54938
Излучающие полупроводниковые приборы; Базовый элемент 2И-НЕ на МДП транзисторах; Усилительный каскад на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Образец 54939
Излучающие полупроводниковые приборы; Базовый элемент 2И-НЕ на МДП транзисторах; Усилительный каскад на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Образец 54940
Излучающие полупроводниковые приборы; Базовый элемент 2И-НЕ на МДП транзисторах; Усилительный каскад на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Образец 54941
Излучающие полупроводниковые приборы; Базовый элемент 2И-НЕ на МДП транзисторах; Усилительный каскад на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Образец 54942
Излучающие полупроводниковые приборы; Базовый элемент 2И-НЕ на МДП транзисторах; Усилительный каскад на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Образец 54943
Излучающие полупроводниковые приборы; Базовый элемент 2И-НЕ на МДП транзисторах; Усилительный каскад на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Образец 54944
Излучающие полупроводниковые приборы; Базовый элемент 2И-НЕ на МДП транзисторах; Усилительный каскад на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Образец 54945
Излучающие полупроводниковые приборы; Базовый элемент 2И-НЕ на МДП транзисторах; Усилительный каскад на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Образец 54946
Излучающие полупроводниковые приборы; Базовый элемент 2И-НЕ на МДП транзисторах; Усилительный каскад на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Образец 54947
Излучающие полупроводниковые приборы; Базовый элемент 2И-НЕ на МДП транзисторах; Усилительный каскад на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Образец 54948
Излучающие полупроводниковые приборы; Базовый элемент 2И-НЕ на МДП транзисторах; Усилительный каскад на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Образец 54949

Содержание

Задание 1

Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры

Ответ

Классификация фотоэлектрических приборов и основные определения Фотоэлектрическими называют приборы, в которых энергия оптического излучения преобразуется в электрическую. Оптическим является электромагнитное излучение с длинами волн от 5 до 106 нм. В зависимости от длины волн оптическое излучение подразделяется на ультрафиолетовое (5… 400нм), видимое (400… 760нм), и инфракрасное (760… 106 нм).

...

Схема включения фотоэлемента в электрическую цепь показана на рис.1. При воздействии светового потока Ф на катод в цепи появляется фототок l ф. Если при Ф= const увеличивать напряжение между анодом и катодом U a, фототок сначала быстро возрастает до некоторого значения, а затем при дальнейшем увеличении U a остаётся практически неизменным (рис. 2).

...

Задание 2

Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

Ответ

Элемент И-НЕ на КМДП-транзисторах: на рис.3 приведена схема логической ячейки И-НЕ. МДП-транзисторы с p-каналом (р-МДП) соединены параллельно, так же, как и МДП-транзисторы с n-каналом (n-МДП). Для осуществления логической операции «И-НЕ» нужно, чтобы на входах Вх1 и Вх2 были логические «1», тогда открыты оба n-канальных транзистора, и на выходе получаем логический «0», что и соответствует логической операции «И-НЕ». В статическом состоянии ток не течет.

...

Таблица истинности логической ячейки И-НЕ

...

Задание 3

Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Ответ

В усилительных каскадах МДП-транзисторы всегда работают на пологих участках характеристик, где крутизна и коэффициент усиления транзистора имеют максимальные значения.

...

Рисунок 5 - Усилительные каскады на МДП-транзисторах с резистивной нагрузкой

...

Очень похожие работы
Пожалуйста, внимательно изучайте содержание и фрагменты работы. Деньги за приобретённые готовые работы по причине несоответствия данной работы вашим требованиям или её уникальности не возвращаются.
* Категория работы носит оценочный характер в соответствии с качественными и количественными параметрами предоставляемого материала. Данный материал ни целиком, ни любая из его частей не является готовым научным трудом, выпускной квалификационной работой, научным докладом или иной работой, предусмотренной государственной системой научной аттестации или необходимой для прохождения промежуточной или итоговой аттестации. Данный материал представляет собой субъективный результат обработки, структурирования и форматирования собранной его автором информации и предназначен, прежде всего, для использования в качестве источника для самостоятельной подготовки работы указанной тематики.
bmt: 0.0074
© Рефератбанк, 2002 - 2024