Вход

применение радиации для улучшения электрических параметров силового диода ( полупроводник )

Рекомендуемая категория для самостоятельной подготовки:
Курсовая работа*
Код 236199
Дата создания 22 мая 2016
Страниц 34
Мы сможем обработать ваш заказ 28 ноября в 12:00 [мск]
Файлы будут доступны для скачивания только после обработки заказа.
790руб.
КУПИТЬ

Описание

Радиационное воздействие может служить эффективным технологическим инструментом, позволяющим существенно усовершенствовать и удешевить производство полупроводниковых приборов, улучшить их качество, а также экономить драгоценные металлы, используемые при их производстве. Наиболее часто в радиационной технологии применяется облучения быстрыми электронами.
Радиационный технологический процесс (РТП), состоящий из последовательных операций радиационного облучения и термического отжига, находит все более широкое и в основном безальтернативное практическое применение в технологии различных изделий полупроводниковой электроники с целью обеспечения импульсно-частотных характеристик и регулирования статических параметров.
...

Содержание

1.1 Общие свойства и параметры силовых выпрямительных диодов 8
1.1.1 Непроводящее состояние силового диода 8
1.1.2 Вольт-амперная характеристика 10
1.1.3 Статические параметры 11
1.1.4 Динамические характеристики 12
1.1.4.1 Переходные процессы 13
1.1.5 Предельно допустимые значения 17
1.2 Радиационно-технологичекий процесс 18
1.2.1 Взаимодействие электронов с веществом 19
1.2.2 Механизмы образования и физическая природа радиационных центров 21
1.2.3 Изменение основных электрофизических параметров при облучении 23
1.2.3.1 Время жизни неосновных носителей заряда 24
1.2.3.2 Концентрация, удельное сопротивление и подвижность 25
1.3 Термостабильность и кинетика отжига радиационных центров 28
1.4 Влияние облучения на основные параметры диодов 32


Введение

Силовой выпрямительный диод -это неуправляемый полупроводниковый электро-преобразовательный прибор, имеющий два металлических вывода (анод со стороны p-слоя и катод со стороны n-слоя), содержащий один p–n-переход и обладающий односторонней проводимостью тока.[1] Выпрямительные диоды используют для преобразования переменного тока в ток одной полярности. В зависимости от полярности приложенного к внешним выводам диода напряжения он может находиться в одном из двух устойчивых состояний: непроводящем состоянии (p-n- переход смещён в обратном направлении) и проводящем (p-n- переход смещён в прямом направлении).

Фрагмент работы для ознакомления

В современных диодах оно эта величина достигает 10 кВ. Uпроб в сотнях вольт определяет класс выпрямительного диода.2)максимально допустимый прямой ток (предельный ток) Iпред, определяемый в однофазной однополупериодной схеме выпрямления при синусоидальном тока частотой 50 Гц, угле проводимости 180 и заданной температуре кристалла. Он определяется формулой(14)Iпред=12π0+πUmRд*sinωt*dωt=Umπ*Rд=Imπ (14)где Um-амплитудное значение напряжения сетиRд-активное сопротивление нагрузкиIm-амплитудное значение выпрямленного тока.Предельный ток Iпред. определяет тип вентиля, он достигает 8кА.3)Максимальный обратный ток Iоб составляет доли мкА-десятки мА4)импульсное прямое напряжение Uпр- это максимальное значение прямого напряжения, обусловленное максимально допустимым средним прямым током Iпр. Оно составляет 1…3В5) пороговое напряжение Uо (0,5…1,5В) и дифференциальное сопротивление rд6)время восстановления обратного сопротивления tвост (доли нс-, доли мкс для высокочастотных и 25…100 мкс для низкочастотных)7)заряд обратного восстановления Qвост-определяет мощность потерь обратного восстановления, его значение лежит в пределах от десятков нК-десятков мкК).2. Радиационно-технологичекий процессРадиационное воздействие может служить эффективным технологическим инструментом, позволяющим существенно усовершенствовать и удешевить производство полупроводниковых приборов, улучшить их качество, а также экономить драгоценные металлы, используемые при их производстве. Наиболее часто в радиационной технологии применяется облучения быстрыми электронами.Радиационный технологический процесс (РТП), состоящий из последовательных операций радиационного облучения и термического отжига, находит все более широкое и в основном безальтернативное практическое применение в технологии различных изделий полупроводниковой электроники с целью обеспечения импульсно-частотных характеристик и регулирования статических параметров.Наличие запрещенной зоны в электронном энергетическом спектре полупроводника обуславливает его высокую чувствительность к присутствию в кристаллической решетке собственных структурных дефектов: точечных, линейных, объемных. Изменение подсистемы дефектов под воздействием радиации вызывает изменение спектра локализованных состояний, связанных с дефектами, что приводит к изменению свойств материала.[12] Именно это является причиной низкой устойчивости полупроводников и приборов на их основе к воздействию высокоэнергетической радиации.С введением определенных строго дозируемых концентраций термостабильных радиационных дефектов в полупроводники и приборные структуры на их основе стало возможным регулировать их свойства и характеристики с точностью, недостижимой при использовании диффузии химических примесей. Это положено в основу разрабатываемых радиационных технологий для конкретных типов полупроводниковых приборов.2.1.Взаимодействие электронов с веществомПри облучении быстрыми электронами радиационные дефекты вводятся равномерно по объему образца. Эти излучения целесообразно использовать для облучения р-n-структур, имеющих достаточно обширные активные области, куда следует вводить дефекты. [18] К таким структурам от носятся и силовые диоды. При взаимодействии с веществом энергия электронов расходуется главным образом на неупругое рассеяние на атомах, вызывая их ионизацию. Кроме этого, также происходит упругое рассеяние, связанное с кулоновским взаимодействием электрона с ядром атома, в результате чего происходит смещение атомов в междоузлия.Эффекты смещений приводят к образованию в кристалле радиационных дефектов. Радиационный дефект возникает в том случае, если энергия бомбардирующей частицы достаточна для смещения атома из узла кристаллической решетки в междоузлие.[15] Эта энергия называется пороговой энергией смещения (Еd). Выбитый из узла атом при движении генерирует пары Френкеля вблизи своей траектории. В результате каскада соударений образуются дефектные разупорядоченные области - кластеры с характерным линейным размером (10-6 – 10-5) см. При этом концентрация компонентов пар Френкеля в кластере может достигать 1021 - 1022 см-3. Образование пар Френкеля и кластеров является первичным радиационным дефектом. [27]Согласно законам сохранения энергии и момента количества движения энергия, передаваемая атому отдачи Еa при упругом взаимодействии, определяется следующим соотношением(15):Ea=Ea max*sin2θ2 (15)где θ - угол между направлением движения электрона до и после столкновения.При лобовом столкновении (θ=180о) атому быстрым электроном передается максимальная энергия Еa max , равная, исходя из формулы (16):Ea max=2(Ea+2mс2)Mс2Ea (16)где Еa max - наибольшая кинетическая энергия смещенного атома;Еa - кинетическая энергия электрона; m - масса покоя электрона;с - скорость света,M - масса ядра атома полупроводника,m - масса электрона.Если налетающая частица передаст атому облучаемого вещества кинетическую энергию, превышающую пороговую энергию смещения Ed, то атом может выйти из узла в междоузельное положение, т.е. возникает первичное смещение. [14] Для расчета количества первичных смещений необходимо знать полное поперечное сечение смещений δd, определяемых по формуле(17):δd=8πδо121x2о-1+παβ(1xo-1+β2+παβlnxo] (17)где β-скорость электронов единицах скорости светаРаспределение атомов по полученным энергиям при электронном облучении определяется формулой(18):nEa=4πδdEa max(Ea maxEa)2 (18)Полное число смещённых атомов в веществе при бомбардировке электронами с различной энергией имеет вид(19):Nd=EdEa maxФnoσdEvEdE (19)Вторичное смещение - это смещение атомов из узлов за счет передачи им энергии от первично смещенных атомов отдачи или за счет взаимодействия с атомами вещества вторичных излучений, возникших при взаимодействии первичных излучений с веществом. Такой атом в свою очередь может при движении генерировать пары Френкеля вблизи своей траектории. Результатом каскада соударений является образование дефектных разупорядоченных областей —радиационных кластеров с характерным линейным размером (10-6 – 10-5) см. При этом концентрация компонентов пар Френкеля в кластере может достигать 1021 - 1022 см-3. 2.2.Механизмы образования и физическая природа радиационных центров в кремнии.Облучение полупроводников быстрыми частицами приводит к образованию различных радиационных центров различной физической природы.Энергетический спектр радиационных центров в кремнии при облучении быстрыми электронами на рисунке 6.Рисунок 6 Энергетический спектр радиационных центров в кремнии при облучении быстрыми электронамиПрирода и энергетический спектр радиационных дефектов определяется: энергией, переданной атомами облучаемого вещества, видом бомбардирующих частиц, примесным составом кристаллов и условиями проведения эксперимента.Радиационные центры бывают: первичные- которые образуются сразу же в момент разрыва связей: вакансия, междоузельные атомы, вторичные: образуются в результате миграции точечных дефектов и их объединения между собой с примесями.Современная модель образования устойчивых радиационных центров заключается в том, что термостабильными в рабочем диапазоне температур полупроводников и интегральных схем и вносящими в запрещённую зону полупроводника разрешённые уровни энергии, являются не точечные первичные нарушения, а их ассоциации между собой и атомами остаточных легирующих примесей.2.2.1. А – центры. Комплекс вакансия-кислород (А-центр, VO) является одним из основных радиационных дефектов. Преобладает в кремни полученном методом Чохральского, так как там высокое содержание кислорода 1018 см-3. А – центр дефект с акцепторным уровнем (электронная ловушка) Ес-0,17 эВ. Этот уровень существует в кремнии уже при комнатной температуре. При захвате вакансии атом кислорода смещается из междоузлия и располагается почти в вакантном узле, не занимая при этом полностью замещающее положение. Он смещен из центра тетраэдрального замещающего положения в <100> направлении и связывается с двумя атомами кремния, образуя Si-Oi-Si. и оборванных связей не имеет.2.2.2. Е-центрЕ-центр- это комплекс вакансии с легирующей примесью. Преобладает в кремнии, полученном методом зонной плавки. E-центр создает в кремнии акцепторный уровень с энергией ЕС – 0.44 эВ. При этом фосфор, вошедший в E-центр, уже не создает донорного уровня. E-центр удаляет из зоны проводимости сразу два электрона, если уровень Ферми выше, чем ЕЕ. Если ЕF ниже, чем ЕЕ, то удаляется только один электрон (за счет исчезновения донорного уровня). Е-центр является самым нестабильным, в процессе отжига его необходимо отжечь.2.2.3. J-центр или дивакансияДивакансия возникает в практически чистом материале (где мало легирующей примеси), состоит из двух вакансий. В кремнии с решеткой типа алмаза дивакансии создают шесть оборванных связей и являются амфотерными центрами. Дивакансии образуются при облучении быстрыми частицами с энергией >10 Мэв. Механизм образования: бомбардирующая частица передаёт атому кремния энергию, достаточную для того, чтобы он мог выбить в междоузлие соседний атом и сам перейти в междоузлие.Дивакансия в зависимости от зарядового состояния дает три уровня в запрещенной зоне кремния, два акцепторных и один донорный:верхний, двукратно отрицательно заряженный (ЕС - 0.23) эВ;средний, однократно отрицательно заряженный (ЕС - 0.39) эВ;нижний, положительно заряженный (ЕV + 0.21) эВ.Введение дивакансии в материал n-типа также приведет к удалению из зоны проводимости двух электронов. Если дивакансия вводится в материал n-типа, то уменьшения свободных носителей не происходит. Если имеем сильнолегированный p-материал, то дивакнсия удаляет дырку из валентной зоны, т.е. дивакансия обладает амфотерностью. 2.2.4. Более сложные комплексыВ полупроводнике, содержащем акцепторную примесь, возникают комплексы: вакансия + акцепторная примесь. Предполагают, что существует комплекс вакансия+ алюминий, имеющий уровень (ЕV+0.48) эВ и являющийся дефектом донорного типа.Есть предпосылки для существования центра (V+B). Ему приписывают энергетический уровень (ЕV + 0.45) эВ. Имеется аналог А-центра и в p-типе. Это, так называемый, K-центр. Предполагается, что это сочетание вакансии, кислорода и углерода: K=V+0+С. K-центр создает два донорных уровня в запрещенной зоне: ЕV + 0.3 эВ и (ЕV + 0.16) эВ.Реальное количество всевозможных центров в кремнии может быть очень большим. Все рассмотренные центры являются следствием появления вакансий как первичного радиационного дефекта.2.3.Изменение основных электрофизических параметров в кремнии при облучении.В силу особенностей энергетической зонной структуры полупроводниковых кристаллов их электрофизические свойства особенно сильно изменяются при воздействии излучений.Основными электрофизическими характеристиками полупроводниковых материалов, определяющими электрические параметры полупроводниковых приборов, являются: концентрация носителей заряда n, подвижность μ, время жизни носителей заряда τ и их диффузионная длина L. 2.3.1.Время жизни неосновных носителей зарядаОдной из самых чувствительных к действию проникающего излучения характеристикполупроводников является время жизни неосновных носителей заряда, так как глубокие уровни радиационных центров в полупроводниках являются эффективными центрами рекомбинации. При облучении в запрещённой зоне образуется много дополнительных энергетических уровней, но время жизни в облучённом полупроводнике определяется лишь одним-двумя доминирующими рекомбинационными центрами. Обратная величина τ при небольших уровнях инжекции пропорциональна числу рекомбинационных центров (согласно статистике Шокли-Рида-Холла).[16]Таким образом, зависимость времени жизни от интегрального потока излучения можно описать простым соотношением(20):1τ=1τо+КτФ (20)где Кτ- - радиационная константа, зависящая от удельного сопротивления исходного материала, природы излучения и скорости введения радиационных дефектов (скорость изменения времени жизни при облучении), см2/сτо- время жизни до облученияτф- время жизни после облучения интегральным потоком ФИз этого выражения следует, что с ростом интегрального потока излучения, время жизни неосновных носителей заряда монотонно убывает, что видно на рисунке 7.Рисунок 7 Зависимость времени жизни от интегрального потока облученияМожно записать выражение в другом виде(22), учитывая(21)LD2=Dτ(21)1Lф2-1Lo2=КLФ(22)2.3.2.Удельное электро-сопротивление, концентрация и подвижностьРадиационные дефекты в полупроводниковых материалах способствуют уменьшению концентрации свободных носителей заряда, которая в кремнии, при росте дозы облучения, приближается к собственной, что можно наблюдать на рисунке (8). Концентрация основных носителей заряда изменяется в зависимости от интегрального потока облучения в широком диапазоне доз по экспоненциальному закону. (23)nф=n0exp⁡(-anФ) (23)где nф - концентрация электронов после облучения; n0- концентрация электронов до облучения;an- постоянный коэффициент, связанный с начальными характеристиками материала.Рисунок 8 Зависимость концентрации основных носителей заряда от потока облученияПодвижность неосновных носителей заряда в полупроводнике определяется рассеянием на тепловых колебаниях решетки (фононах), ионах примесей, дислокациях и других несовершенствах кристаллов. Радиационные дефекты, вызывают уменьшение подвижности, так как радиационные центры действуют как дополнительные центры рассеяния. Рисунок Изменение удельного сопротивления зонного (1) и тигельного (2) кремния n-типа при облучении электронами с энергией 10 МэВ (300 К)Изменение подвижности свободных носителей заряда сказывается при значительно больших потоках, чем изменение концентрации. Это изменение можно описать эмпирическим коэффициентом Кμ, вводимым в формулу(24):1μф=1μ0+Кμ*Ф (24)При облучении электронами с энергией Ее=2,5 МэВ значение Кμ для кремния марки КЭФ-3 равно 2,1*10-20, для кремния марки КЭФ-0.2 равно 3*10-21Удельное сопротивление и удельная проводимость полупроводника связаны с исходными характеристиками материала выражением(25):σ=1ρ=q(nμn+pμp) (25)где ρ, δ - удельная проводимость и сопротивление; n, p- концентрация электронов и дырок; μn, μp- подвижности электронов и дырок; q- заряд электрона. Так как радиационные дефекты способствуют уменьшению концентрации основных носителей заряда, снижению их подвижности, наблюдается смещение уровня Ферми к середине запрещённой зоны, то, в соответствии с выражением 25, удельное сопротивление полупроводникового материала в кремнии увеличивается и стремится к значению, близкому для собственного кремния 2*105 Ом*см при 300 К. Экспоненциальная зависимость изменения удельного сопротивления полупроводниковых материалов от интегрального потока излучения определяется формулой(26):ρф=ρ0exp⁡(KpФ) (26)где ρ0, ρф - удельное сопротивление полупроводника до и после облучения Кр-радиационная константа удельного сопротивления полупроводника. Выражение получено при допущениях, что изменение удельного сопротивления для кремния в основном обусловлено изменением концентрации носителей заряда и справедливо для материала n- типа в интервале (5*1013<n0<1017) см-3 при Кρn =387 , и для материала p-типа в интервале (1014<Р0<5*1017) см-3 при Кρp=444. При КρФ<1, удельное сопротивление вычисляется по формуле(27)ρф=ρ0*(1+Кρ*Ф) (27)где ρ0 и ρф – удельное сопротивление до и после облученияФ- интегральный потокКρ –константа, определяющая скорость роста удельного сопротивления при облучении.Константа Кρ определяется свойствами исходных образцов и условиями облучения. Её физический смысл видно из формулы(28)Kρ=1n0ΔnФ (28)где n0- исходная концентрация носителей заряда∆nФ – скорость удаления носителей заряда при облученииКонстанты Кρ и Кτ определяются скоростью образования радиационных центров, их рекомбинационными характеристиками (сечениями захвата электронов и дырок), а также степенью заполнения центров электронами.В отличие от времени жизни заметные изменения удельного сопротивления появляются при существенно больших значениях интегрального потока облучения. При облучении электронами увеличение ρ проявляется при флюенсе порядка 1014-1015 см-2.3. Отжиг радиационных дефектов.Имплантация ионов сопровождается вредными побочными процессами: возникновение радиационные повреждения кристаллической решетки, вследствие чего структура облучённого участка может стать близкой к аморфной, и также остановкой ионов не в тех местах, где нужно (межузельные ионы).Для восстановления электрофизических свойств, путём устранения нетермостабильных радиационных дефектов, готовые полупроводниковые материалы и приборы на их основе после облучения ядерными частицами подвергаются стабилизирующему термическому отжигу. Если облучение проводилось при повышенных температурах, так называемое «горячее» облучение, тогда нет необходимости в стабилизирующем термическом отжиге после облучения. [18,20] Суть отжига сводится к тому, что тепловая вибрация способна устранять повреждения кристаллической решётки и активизировать внедрённые ионы. В процессе восстановления повреждённый слой рекристаллизуется, повторяя структуру расположенных ниже неповреждённых слоёв. Кроме того, в процессе отжига имплантируемые ионы, находящиеся в межузельных положениях, перемещаются в положение замещения. [18,20] Уровень Ферми при этом смещается в сторону зоны проводимости, стремясь к положению, определяемому уровнем ядерного легирования образцов. Отжиг включает в себя такие процессы как: термическая диссоциация дефекта; движение дефекта как единого целого на сток; отрыв одной из составляющих дефекта и необратимый уход на сток; присоединение одного из компонентов пары Френкеля к существующему дефекту.Параметрами, характеризующими процесс отжига являются: энергии активации и частотные факторы (частоту скачков дефекта на сток). Температура, при которой концентрация дефектов уменьшается на 50%, определяется как температура отжига[21] Характерное время отжига составляет порядка 30 минут.Кинетика отжига данного радиационного центра описывается через величину его неотожённой доли, определяемой по формуле(29):ft=NtNt0=exp⁡(-Stt) (29)Где St определяется по формуле (30)St=νt*exp-EaKT (30)Где St-вероятность отжигаt-длительность отжигаNt-концентрация отожжённых центровЕа-энергия активацииΝt- предэкспоненциальный множительПроцесс отжига определённого типа радиационного центра имеет диффузионный характер и количественно характеризуется энергией активации отжига, её значение находится по формуле(31):Ea=k lnt2t1T1T2T1-T2 (31)Где Еа-энергия активацииТ1, Т2-изменение температуры при отжигеt1,t2- изменение временик- константа БольцманаИсходя из данного выражения энергию активации можно определить в случае экспоненциального уменьшения концентрации радиационных центров из измерений отрезка времени t1 и t2, необходимых для изменения концентрации радиационных центров до некоторого заданного значения в ходе отжига при температурах Т1 и Т2.На температуру отжига также влияет и метод выращивания кристалла. При облучением быстрыми электронами основные радиационные дефекты как А-центр (VO) и дивакансия (V2) стабильны в зонном кремнии до температуры 3500 С, а в кремнии, выращенном по методу Чохральского дивакансии стабильны до 2500 С и отжигаются без образования в заметных концентрациях новых электрически активных дефектов. [19]3.1.Отжиг А-центраА-центр обычно отжигается при (300-450)0 С с энергией активации 1,4 эВ. Отжиг А-центра в диффузионных p-n переходах имеет сложный характер и сопровождается появлением новой электронной ловушки. Наблюдается появление и исчезновение электронной ловушки с уровнем Ec-0,35эВ в облучённых электронами 1МэВ диффузионных переходах в области температур отжига (150-300)0 С при монотонном отжиге А-центра выше 1000 С. Также при облучении 12 МэВ наблюдается аналогичный характер отжига А-центра с генерацией ловушки с уровнем Ес-0,36.Ранняя стадия отжига VO T>1000 C в p-n переходах сопровождалась появлением в равной концентрации новой электронной ловушки с уровнем Е-0,34. При T>2000 С наблюдалась обратная перестройка дефекта с уровнем Eс-0,34 в А-центр. В формировании уровня Ес-0,34 предполагается участие неизвестного подвижного дефекта.

Список литературы

Литература:
1. Диоды и тиристоры в преобразовательных установках / М. И. Абрамович, В. М. Бабайлов, В. Е. Либер и др.— М.: Энергоатомиздат, 1992.
2. Лебедев А. И. «Физика полупроводниковых приборов» / М.: Физматлит, 2008.
3. Валенко В.С. Полупроводниковые приборы и основы схемотехники электронных устройств / под ред. А.А. Ровдо./ М.: Додэка-ХХI, 2001.
4. Гельман, М.М. Дудкин, К.А. Преображенский «Преобразовательная техника» Учебное пособие. Издательский центр ЮУрГУ, 2009.
5. О. Г. Чебовский, Л. Г. Моисеев, Р. П. Недошивин справочник «Силовые полупроводниковые приборы». –М.: Энергоатомиздат, 1985.
6. В. И. Старосельский «Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники» учебное пособие, М.: Юрайт высшее образование, 2009.
7. В.Н. Брудный Радиационные эффекты в полупроводниках/ Вестник Томского государственного университета № 285, 2005.
9. Н. Н. Горюнов, Ю. Р. Носов «Полупроводниковые диоды: параметры, методы измерений». –М.: Сов. Радио. –, 1968.
8. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники / В.М. Кулаков, Е.А. Ладыгин, В.И. Шаховцов и др.; Под ред. Е.А. Ладыгин. –М.: Сов. Радио, 1980.
10. Коршунов Ф.П., Гатальский Г.В., Иванов Г.М. «Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах». – М.: Наука и техника, 1978.
11. К И Таперо «Основы радиационной стойкости изделий электронной техники космического применения. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения: курс лекций». –М. МИСиС, 2011.
12. Ионная имплантация примесей в монокристаллы кремния: эффективность метода и радиационные нарушения В. С. Вавиловa, А. Р. Челядинскийb // Успехи физических наук. —, том 165, № 3, 1995.
13. Основы радиационной технологии микроэлектроники. Курс лекций. / Под ред. Е.А.
Ладыгина. - М.: Изд МИСиС, 1994.
14. Влияние облучения и отжига на термическую стабильность радиационных дефектов в кремнии / М.Д. Варенцов, Г.П. Гайдар, А.П. Долголенко, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — № 5, 2010.
15. Б.А. Комаров Особенности отжига радиационных дефектов в кремниевых p-n-структурах: роль примесных атомов железа / Физика и техника полупроводников, том 38, № 9, 2004.
16. Э.Н. Вологдин, А.П. Лысенко «Радиационные эффекты в некоторых классах полупроводниковых приборов. Учебное пособие». – М.: МГИЭМ, 2001.
Пожалуйста, внимательно изучайте содержание и фрагменты работы. Деньги за приобретённые готовые работы по причине несоответствия данной работы вашим требованиям или её уникальности не возвращаются.
* Категория работы носит оценочный характер в соответствии с качественными и количественными параметрами предоставляемого материала. Данный материал ни целиком, ни любая из его частей не является готовым научным трудом, выпускной квалификационной работой, научным докладом или иной работой, предусмотренной государственной системой научной аттестации или необходимой для прохождения промежуточной или итоговой аттестации. Данный материал представляет собой субъективный результат обработки, структурирования и форматирования собранной его автором информации и предназначен, прежде всего, для использования в качестве источника для самостоятельной подготовки работы указанной тематики.
© Рефератбанк, 2002 - 2022