Рекомендуемая категория для самостоятельной подготовки:
Курсовая работа*
| Код |
139612 |
| Дата создания |
2008 |
| Страниц |
32
|
| Источников |
20 |
Мы сможем обработать ваш заказ (!) 25 апреля в 14:00 [мск] Файлы будут доступны для скачивания только после обработки заказа.
|
Содержание
Введение.
1.1.Полупроводники. Дефекты в полупроводниках.
2.2. Классификация полупроводников.
1.3. Полупроводниковые материалы.
Глава 1. Глубокие уровни в соединениях типа A3B5.
1.1. Образование дефектов в GaAs и Si при осаждении Pd на поверхность.
1.2. Электрофизические и оптические свойства InAs, облученного электронами (~ 2МэВ): энергетическая структура собственных точечных дефектов.
1.3. Кинетика и неоднородная инжекция носителей в нанослоях InGaN.
Глава 2. Глубокие уровни в соединениях типа A2B6.
2.1. Глубокие уровни, имеющие донорную природу. Определение концентрации глубоких уровней в полуизолирующих монокристаллах CdS методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии.
2.2. Компенсация доноров в обедненном слое кристаллов CdF2 с барьером Шоттки.
2.3. Глубокие акцепторные уровни. Исследование глубоких уровней в CdHgTe методом туннельного тока фотодиодов. Легирование эпитаксиальных слоев и гетероструктур на основе HgCdTe.
2.4. Резонансный уровень галлия в сплавах Pb, vSnvTe под давлением.
Глава 3. Методы создания Глубоких уровней в п\п.
3.1. Радиационное модифицирование и радиационное дефектообразование в слоях n- и p-типов карбида кремния, выращенных методом сублимационной эпитаксии.
Литература.
Список литературы [ всего 20]
Абдуллаев А.А., Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 7,796.
[2] Ashour H., F. El Akkad. Phys. Status Solidi A, 184 (1), 175 (2001).
[3] Брудный В.Н. и др., Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 4, стр. 409.
[4] Гривулин В.И. др., Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 7, стр 806.
[5] Емцев К.В., XXXVI Международная конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2006) Москва МГУ, http://danp.sinp.msu.ru/pci2006/1_utro2.pdf
[6] Карпович И.А. и др., Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 3, стр. 319.
[7] Кузнецов В.П. и др. , Физика и техника полупроводников, 19, 735 (1985).
[8] Martin G.M., D. Bois. In: Semiconductor Characterization Techniques, ed. by P.A. Barnes, GA. Rozgonyi, PV 78-3, p. 32 (The Electrochemical Society, Inc., Princeton, NJ, 1978).
[9] Мир-Гасан Ю. Сеидов и др., Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 7, стр. 1270.
[10] Мынбаев К.Д., В.И. Иванов-Омский, Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 1,стр. 3.
[11] Одринский А. П. ,Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6, стр. 660.
[12] Савицкий А.В. и др., Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 7, стр. 788.
[13] Сизов Д.С. и др., Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 2, стр. 264.
[14] Скипетров Е.П. и др.,Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2, стр. 149.
[15] Туринов В.И., Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 9, стр. 1129.
[16] Тырышкин И. С. Основы полупроводниковой электроники, учебное пособие, 2004, Новосибирск.
[17] Hurter Ch., M. Boilou, A. Mitonneau, D. Bois. Appl. Phys.Lett, 32, 821 (1978).
[18] Шалимова К.В., Физика полупроводников, М.: Энергоатомиздат, 1985.
[19] Шейнкман М.К. и др., Н, Физика и техника полупроводников, 14, 438 (1980).
[20] Щеулин А.С. и др., Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 1, стр. 72.
Пожалуйста, внимательно изучайте содержание и фрагменты работы. Деньги за приобретённые готовые работы по причине несоответствия данной работы вашим требованиям или её уникальности не возвращаются.
* Категория работы носит оценочный характер в соответствии с качественными и количественными параметрами предоставляемого материала. Данный материал ни целиком, ни любая из его частей не является готовым научным трудом, выпускной квалификационной работой, научным докладом или иной работой, предусмотренной государственной системой научной аттестации или необходимой для прохождения промежуточной или итоговой аттестации. Данный материал представляет собой субъективный результат обработки, структурирования и форматирования собранной его автором информации и предназначен, прежде всего, для использования в качестве источника для самостоятельной подготовки работы указанной тематики.
bmt: 0.00477