Физика

1. Методы наблюдения интерференции света.
2. Законы внешнего фотоэффекта. Уравнение Эйнштейна для внешнего фотоэффекта.
3. Контакт электронного и дырочного полупроводников.
4. Луч света падает под углом 60 на стеклянную пластинку толщиной 30 мм. Определить боковое смещение луча после выхода из пластинки. Показатель преломления стекла 1,5.
5. На плоскую отражательную решетку нормально падает свет длиной волны  = 589 нм. Определить число штрихов решетки на 1 мм, если спектр второго порядка наблюдается под углом дифракции  = 45 к нормали.
6. Поверхность Солнца близка по своим свойствам к абсолютно черному телу. Максимум испускательной способности приходится на длину волны мкм (к сведению, в излучении Солнца, прошедшем через атмосферу и достигшем поверхности Земли, максимум приходится м ...

1. Методы наблюдения интерференции света.
2. Законы внешнего фотоэффекта. Уравнение Эйнштейна для внешнего фотоэффекта.
3. Контакт электронного и дырочного полупроводников.
4. Луч света падает под углом 60 на стеклянную пластинку толщиной 30 мм. Определить боковое смещение луча после выхода из пластинки. Показатель преломления стекла 1,5.
5. На плоскую отражательную решетку нормально падает свет длиной волны  = 589 нм. Определить число штрихов решетки на 1 мм, если спектр второго порядка наблюдается под углом дифракции  = 45 к нормали.
6. Поверхность Солнца близка по своим свойствам к абсолютно черному телу. Максимум испускательной способности приходится на длину волны мкм (к сведению, в излучении Солнца, прошедшем через атмосферу и достигшем поверхности Земли, максимум приходится мкм). Определить температуру солнечной поверхности и энергию W, излучаемую Солнцем за  = 1 св виде электромагнитных волн. Радиус Солнца м.
7. Найдите длину волны де Бройля для протона, прошедшего ускоряющую разность потенциалов: 1) 1 кВ, 2) 1 МВ.
8. В результате нагревания абсолютно черного тела длина волны, на которую приходится максимум спектральной плотности энергетической светимости, сместилась с мкм до мкм. Определить, во сколько раз увеличилась: 1) энергетическая светимость тела; 2) максимальная спектральная плотность энергетической светимости тела.
9. Начальная активность 1 г изотопа радия равна 1 Ки. Определить период полураспада этого изотопа.
10. Найти дефект массы, энергию связи и удельную энергию связи ядра атома кислорода

1. Методы наблюдения интерференции света.
2. Законы внешнего фотоэффекта. Уравнение Эйнштейна для внешнего фотоэффекта.
3. Контакт электронного и дырочного полупроводников.
4. Луч света падает под углом 60 на стеклянную пластинку толщиной 30 мм. Определить боковое смещение луча после выхода из пластинки. Показатель преломления стекла 1,5.
5. На плоскую отражательную решетку нормально падает свет длиной волны  = 589 нм. Определить число штрихов решетки на 1 мм, если спектр второго порядка наблюдается под углом дифракции  = 45 к нормали.
6. Поверхность Солнца близка по своим свойствам к абсолютно черному телу. Максимум испускательной способности приходится на длину волны мкм (к сведению, в излучении Солнца, прошедшем через атмосферу и достигшем поверхности Земли, максимум приходится м км). Определить температуру солнечной поверхности и энергию W, излучаемую Солнцем за  = 1 св виде электромагнитных волн. Радиус Солнца м.
7. Найдите длину волны де Бройля для протона, прошедшего ускоряющую разность потенциалов: 1) 1 кВ, 2) 1 МВ.
8. В результате нагревания абсолютно черного тела длина волны, на которую приходится максимум спектральной плотности энергетической светимости, сместилась с мкм до мкм. Определить, во сколько раз увеличилась: 1) энергетическая светимость тела; 2) максимальная спектральная плотность энергетической светимости тела.
9. Начальная активность 1 г изотопа радия равна 1 Ки. Определить период полураспада этого изотопа.
10. Найти дефект массы, энергию связи и удельную энергию связи ядра атома кислорода

Согласно этой теории, электрон получает сразу целиком всю энергию фотона, которая расходуется на совершение работы выхода электрона из вещества (катода) и на сообщение электрону кинетической энергии:h*c/λ=ε+A, где ε – максимальная кинетическая энергия электронов, A – работа выхода.Это уравнение называется уравнением Эйнштейна для внешнего фотоэффекта.Электроны, вылетающие из вещества при внешнем фотоэффекте, называются фотоэлектронами, а электрический ток, образуемый ими при упорядоченном движении во внешнем электрическом поле, называется фототоком.Контакт электронного и дырочного полупроводников.Граница соприкосновения двух полупроводников, один из которых имеет электронную, а другой — дырочную проводимость, т.е. область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости (от электронной n к дырочной p), называется электронно-дырочным переходом (или p-n-переходом). Эти переходы имеют большое практическое значение, являясь основой работы многих полупроводниковых приборов. p-n-переход нельзя осуществить просто механическим соединением двух полупроводников, так как в месте их соприкосновения не исключено наличие жировых пятен, пыли, чрезвычайно трудноудаляемой воздушной прослойки и прочего. А вместо этого электронно-дырочные переходы создают по специальным технологиям: диффузии, сплавления, эпитаксии, ионного легирования и ионной имплантации и многим другим. Суть диффузии состоит в проникновении атомов паров примесей ввиду теплового движения на поверхность и внутрь кристаллов полупроводников, нагретых примерно до 950 °C … 1200 °C, причём концентрация примесей наиболее высока на поверхности, а наиболее низка в глубине кристаллов. Сплавление заключено в наложении таблетки легирующего вещества на кристалл полупроводника и разогревании их до такой температуры, при которой наступит взаимное сплавление легирующего материала и полупроводника. Образованный таким образом электронно-дырочный переход называют резким, т.е. таким, при котором участок перехода концентраций примесей соизмерим с диффузионной длиной. Эпитаксия – это выращивание плёнки одного полупроводника на кристалле другого полупроводника. Кристалл полупроводника, на который осуществляют наращивание, называют подложкой. Подложку выполняют из полупроводника с кристаллической решёткой, похожей на кристаллическую решётку наращиваемого полупроводника. Процесс ионного легирования заключён во внедрении в кристалл полупроводника ионов примеси, которые были в вакууме разогнаны до определённой скорости и направлены на поверхность полупроводника. Обычно области различной проводимости создают либо при выращивании кристаллов, либо при соответствующей обработке кристаллов. Например, на кристалл германия n-типа накладывается индиевая «таблетка», эта система нагревается примерно при 500°С в вакууме или в атмосфере инертного газа; атомы индия диффундируют на некоторую глубину в германий. Затем расплав медленно охлаждают. Так как германий, содержащий индий, обладает дырочной проводимостью, то на границе закристаллизовавшегося расплава и германия n-типа образуется p-n-переход. Толщина электронно-дырочного перехода обычно достигает от 100 нм до 1 мкм.В процессе контакта между этими областями из области с полупроводником n-типа в область с полупроводником p-типа проходят электроны, которые затем рекомбинируют с дырками. Вследствие этого возникает электрическое поле между двумя областями, что устанавливает предел деления полупроводников — так называемый p-n переход. В результате в области с полупроводником p-типа возникает некомпенсированный заряд из отрицательных ионов, а в области с полупроводником n-типа возникает некомпенсированный заряд из положительных ионов. Разница между потенциалами достигает 0,3-0,6 В.В процессе подачи напряжения плюсом на p-полупроводник и минусом на n-полупроводник внешнее электрическое поле будет направлено против внутреннего электрического поля p-n перехода и при достаточном напряжении электроны преодолеют p-n переход, и в цепи диода появится электрический ток (прямая проводимость). При подаче напряжения минусом на область с полупроводником p-типа и плюсом на область с полупроводником n-типа между двумя областями возникает область, которая не имеет свободных носителей электрического тока (обратная проводимость). Обратный ток полупроводникового диода не равен нулю, так как в обеих областях всегда есть неосновные носители заряда. Для этих носителей p-n переход будет открыт.Таким образом, p-n переход проявляет свойства односторонней проводимости, что обуславливается подачей напряжения с различной полярностью. Это свойство используют для выпрямления переменного тока. При изменении знака напряжения ток через переход может меняться в 105—106 раз. Благодаря этому p-n переход является вентильным устройством, пригодным для выпрямления переменных токов Зависимость сопротивления p-n переход от U позволяет использовать его. в качестве регулируемого сопротивления (варистора).Транзистор — полупроводниковое устройство, которое состоит из двух областей с полупроводниками p- или n-типа, между которыми находится область с полупроводником n- или p-типа. Таким образом, в транзисторе есть две области p-n перехода.4. Луч света падает под углом 60 на стеклянную пластинку толщиной 30 мм. Определить боковое смещение луча после выхода из пластинки. Показатель преломления стекла 1,5.№ 4 Дано:α=60градусовh=30ммn=1,5l?Решение.Если бы луч не преломлялся, его смещение при выходе из пластинки х=h*tgα.