Элементная база радиоэлектронной аппаратуры

УПИ – УГТУ

Кафедра радиоприёмные устройства.

Контрольная работа № 2

по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “.

Вариант № 17

Шифр:

Ф.И.О

Заочный факультет

Радиотехника

Курс: 3

Работу не высылать.

УПИ – УГТУ

Кафедра радиоприёмные устройства.

Контрольная работа № 2

по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “.

Вариант № 17

Шифр:

Ф.И.О

Заочный факультет

Радиотехника

Курс: 3

Работу не высылать.

Аннотация.

Целью работы является активизация самостоятельной учебной работы, развитие умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых приборов.

Исходные данные:

Тип транзистора ………………………………………………………………… ГТ310Б

Величина напряжения питания Е_п ……………………………………………... 5 В

Сопротивление коллекторной нагрузки R_к …………………………………… 1,6 кОм

Сопротивление нагрузки R_н ……………………………………………………. 1,8 кОм

Схема включения транзистора с общим эмиттером, с фиксированным током базы, с резистивно- ёмкостной связью с нагрузкой.

Биполярный транзистор ГТ310Б.

Краткая словесная характеристика:

Транзисторы германиевые диффузионно- сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные.

Предназначены для работы в усилителях высокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке.

Масса транзистора не более 0,1 г..

Электрические параметры.

Коэффициент шума при ѓ = 1,6 МГц, U_кб= 5 В, I_Э= 1 мА не более ……………. 3 дБ

Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала

при U_кб= 5 В, I_Э= 1 мА, ѓ = 50 – 1000 Гц ……………………………….. 60 – 180

Модуль коэффициента передачи тока H_21э

при U_кб= 5 В, I_Э= 5 мА, ѓ = 20 МГц не менее …………………………... 8

Постоянная времени цепи обратной связи

при U_кб= 5 В, I_Э= 5 мА, ѓ = 5 МГц не более ………………………….… 300 пс

Входное сопротивление в схеме с общей базой

при U_кб= 5 В, I_Э= 1 мА …………………………………………………… 38 Ом

Выходная проводимость в схеме с общей базой

при U_кб= 5 В, I_Э= 1 мА, ѓ = 50 – 1000 Гц не более …………………….. 3 мкСм

Ёмкость коллектора при U_кб= 5 В, ѓ = 5 МГц не более ………………………… 4 пФ

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор- эмиттер:

при R_бэ= 10 кОм ……………….………………………………………… 10 В

при R_бэ= 200 кОм ……………….……………………………………….. 6 В

Постоянное напряжение коллектор- база ………………………………………... 12 В

Постоянный ток коллектора ……………………………………………………… 10 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т = 233 – 308 К ………... 20 мВт

Тепловое сопротивление переход- среда ………………………………………... 2 К/мВт

Температура перехода ……………………………………………………………. 348 К

Температура окружающей среды ………………………………………………... От 233 до

328 К

Примечание. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т = 308 – 328 К определяется по формуле:

P_К.макс= ( 348 – Т )/ 2

Входные характеристики.

Для температуры Т = 293 К :

Iб, мкА
200
160
120
80
40
0	0,05	0,1	0,15	0,2	0,25	0,3	0,35	Uбэ,В

Выходные характеристики.

Для температуры Т = 293 К :

Iк , Iб= 80 мкА мА
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0	1	2	3	4	5	6	Uкэ,В

Нагрузочная прямая по постоянному току.

Уравнение нагрузочной прямой по постоянному току для схемы включения с общим эмиттером:

Построим нагрузочную прямую по двум точкам:

при I_к= 0, U_кэ= Е_п = 9 В, и при U_кэ= 0, I_к= Е_п / R_к = 9 / 1600 = 5,6 мА

Iк , мА
6
5
4					А
3 Iк0
2
1
0	1	2	3	4	5 Uкэ0	6	7	8	9 Еп	Uкэ,В

Iб, мкА Uкэ= 0 В
50
40
30 Iб0
20
10
0 0,15	0,17	0,19	0,21	0,23	0,25	0,27	0,29 Uбэ0	0,31	Uбэ,В

Параметры режима покоя (рабочей точки А):

I_к0= 3 мА, U_кэ0= 4,2 В, I_б0= 30 мкА, U_бэ0= 0,28 В

Величина сопротивления R_б:

Определим H–параметры в рабочей точке.

Iк , Iб = 40 мкА мА
6 Iб0= 30 мкА
5
4					?Iк0
3								?Iк
2
1
0	1	2	3	4	5 Uкэ0	6	7	8	9 Еп	Uкэ,В

?U_кэ

Iб, мкА Uкэ= 4,2 В
50
40			?Iб
30 Iб0
20
10
0 0,15	0,17	0,19	0,21	0,23	0,25	0,27	0,29 Uбэ0	0,31	Uбэ,В

?U_бэ

?I_к0= 1,1 мА, ?I_б0 = 10 мкА, ?U_бэ = 0,014 В, ?I_б = 20 мкА, ?U_кэ= 4 В, ?I_к= 0,3 мА

H-параметры:

Определим G – параметры.

Величины G-параметров в рабочей точке определим путём пересчёта матриц:

G-параметр:

G_11э= 1,4 мСм, G_12э= - 0,4*10 ^–6

G_21э= 0,15 , G_22э= 4,1*10 ^–3 Ом

Определим величины эквивалентной схемы биполярного транзистора.

Схема Джиаколетто – физическая малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема биполярного транзистора:

Величины элементов физической эквивалентной схемы транзистора и собственная постоянная времени транзистора определяются соотношениями (упрощёнными):

Собственная постоянная времени транзистора:

Крутизна:

Определим граничные и предельные частоты транзистора.

Граничная частота коэффициента передачи тока:

Предельная частота коэффициента передачи тока базы в схеме с общим эммитером:

Максимальная частота генерации:

Предельная частота коэффициента передачи тока эммитера в схеме с общим эммитером:

Предельная частота проводимости прямой передачи:

Определим сопротивление нагрузки транзистора и построим нагрузочную прямую.

Сопротивление нагрузки транзистора по переменному току:

Нагрузочная прямая по переменному току проходит через точку режима покоя

I_к0= 3 мА, U_кэ0= 4,2 В и точку с координатами:

I_к= 0, U_кэ= U_кэ0+ I_к0*R_~= 4,2 + 3*10 ^–3 * 847 = 6,7 В

Iк , мА
6
5
4					А
3 Iк0
2
1
0	1	2	3	4	5 Uкэ0	6	7	8	9 Еп	Uкэ,В

Определим динамические коэффициенты усиления.

Iк , мА
6
5					А
4								?Iк
3 Iк0
2 Iб1= 20 мкА
1
0	1	2	3	4	5 Uкэ0	6	7	8	9 Еп	Uкэ,В

?U_кэ

Iб, мкА Uкэ= 4,2 В
50
40			?Iб
30 Iб0
20
10
0 0,15	0,17	0,19	0,21	0,23	0,25	0,27	0,29 Uбэ0	0,31	Uбэ,В

?U_бэ

?I_к= 2,2 мА, ?U_кэ= 1,9 В, ?I_б = 20 мкА, ?U_бэ = 0,014 В

Динамические коэффициенты усиления по току К_I и напряжению К_U определяются соотношениями:

Выводы:

Данная работа активизировала самостоятельную работу, развила умение

выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых транзисторов, дала разностороннее представление о конкретных электронных элементах.

Библиографический список.

1. “Электронные приборы: учебник для вузов” Дулин В.Н., Аваев Н.А., Демин В.П. под ред. Шишкина Г.Г. ; Энергоатомиздат, 1989 г..

1. Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1980г.

1. Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1969г.

1. Справочник “ Полупроводниковые приборы: транзисторы”; М.: Энергоатомиздат, 1985г..

1. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам; М.: Энергия, 1976г..

1. Справочник “ Транзисторы для аппаратуры широкого применения ”; М.: Радио и связь, 1981г..